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使正向電流低于維持電流IH,，或施以反向電壓強(qiáng)迫關(guān)斷,。這就需要增加換向電路,，不*使設(shè)備的體積重量增大，而且會(huì)降低效率,，產(chǎn)生波形失真和噪聲?？申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷,，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便，是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻率比GTR低。目前,，GTO已達(dá)到3000A,、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力,?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號,。大功...

對其在脈沖脈沖功率電源領(lǐng)域中的應(yīng)用研究很少，尚處于試驗(yàn)探索階段,。[1]在大功率半導(dǎo)體開關(guān)器件中,，晶閘管是具有**高耐壓容量與**大電流容量的器件。國內(nèi)外主要制作的大功率晶閘管都是應(yīng)用在高壓直流輸電中,。所制造出的大功率晶閘管,，**大直徑可達(dá)6英寸，單閥片耐壓值**高可達(dá)11KV,，的通流能力**高可達(dá)4500A,。在該領(lǐng)域比較**的有瑞士的ABB以及國內(nèi)的株洲南車時(shí)代。[1]為提高晶閘管的通流能力,、開通速度,、di/dt承受能力，國外在普通晶閘管的基礎(chǔ)上研制出了兩種新型的晶閘管：門極關(guān)斷晶閘管GTO以及集成門極換流晶閘管IGCT,。這兩種器件都已經(jīng)在國外投入實(shí)際使用,。其中GTO的單片耐壓可達(dá)，工...

它由電源變壓器,、電源穩(wěn)壓電路,、三相同步電路及處理模塊、數(shù)字調(diào)節(jié)器,、數(shù)字觸發(fā)器,、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開關(guān)量輸入,、故障及報(bào)警輸出電路,、模擬量處理及A/D轉(zhuǎn)換電路、按鍵參數(shù)設(shè)定及LED指示電路等部分組成,。三相晶閘管觸發(fā)板技術(shù)參數(shù)⑴主電路閥側(cè)額定工作線電壓：≤1000V(50HZ),。⑵控制板工作電源：單相220V±10%;電流A≤,。⑶控制板同步信號：三相同步,AC380V，50HZ,，電流A≤10mA;其他需定制,。⑷UF電壓反饋信號：DC0∽10V，內(nèi)阻抗≥20KΩ,，反饋信號比較大共模電壓≤10V,，其他需定制(5)IF電流反饋信號：DC0∽5V，內(nèi)阻抗≥20KΩ,，反饋信號比較大共模電壓≤...

α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流。晶閘管晶體閘流管（英語：Thyristor）,，簡稱晶閘管,，指的是具有四層交錯(cuò)P、N層的半導(dǎo)體裝置,。**早出現(xiàn)與主要的一種是硅控整流器（SiliconControlledRectifier,，SCR），中國大陸通常簡稱可控硅,，又稱半導(dǎo)體控制整流器,，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件，為***代半導(dǎo)體電力電子器件的**,。晶閘管的特點(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ?，即與一般的二極管相比，可以對導(dǎo)通電流進(jìn)行控制,。晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）...

5,、其它要求（1）當(dāng)模塊控制變壓器負(fù)載時(shí)，如果變壓器空載,，輸出電流可能會(huì)小于晶閘管芯片的擎住電流,，導(dǎo)致回路中產(chǎn)生較大直流分量，嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒掉保險(xiǎn)絲,。為了避免出現(xiàn)上述情況,，可在模塊輸出端接一固定電阻，一般每相輸出電流不小于500mA（具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗(yàn)情況確定）,。（2）小規(guī)格模塊主電極無螺釘緊固,，極易掀起折斷，接線時(shí)應(yīng)注意避免外力或電纜重力將電極拉起折斷,。（3）嚴(yán)禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上,，以防止接觸不良產(chǎn)生附加發(fā)熱,。（4）模塊不能當(dāng)作隔離開關(guān)使用。為保證安全,，模塊輸入端前面需加空氣開關(guān),。（5）測量模塊工作殼溫時(shí)，測試點(diǎn)選擇靠近模塊底板中心的散熱器表面,?？蓪⑸崞鞅砻嬉韵聶M向打一深孔...

晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管,，就可以形成可控整流電路,。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi)，如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG,，vs仍不能接通,。只有當(dāng)U2處于正半周時(shí)，當(dāng)觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時(shí),，晶閘管才接通?，F(xiàn)在，繪制其波形(圖4(c)和(d)),，可以看到只有當(dāng)觸發(fā)脈沖UG到達(dá)時(shí),，負(fù)載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影)。當(dāng)UG到達(dá)較早時(shí),，晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較早,；UG到達(dá)較晚時(shí)，晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較晚,。通過改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達(dá)時(shí)間,，可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積)。在電工技術(shù)中,，交流電的半周常被設(shè)定為180度,，稱為電角。因此,，在U...

且在門極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi),；④應(yīng)有良好的抗干擾能力、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離,；⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時(shí)間趨于一致,。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中，要求串聯(lián)的元件同一時(shí)刻導(dǎo)通,，宜采用強(qiáng)觸發(fā)的形式,。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種：①電磁觸發(fā)方式，將低電位觸發(fā)信號經(jīng)脈沖變壓器隔離后送到高電位晶閘管門極,。這種觸發(fā)方式成本較低,，技術(shù)比較成熟,。但要解決多路脈沖變壓器的輸出一致問題，同時(shí)觸發(fā)時(shí)的電磁干擾較大,。②直接光觸發(fā)方式,，將觸發(fā)脈沖信號轉(zhuǎn)變?yōu)楣饷}沖，直接觸發(fā)高位光控晶閘管,。這種觸發(fā)方式只適用于光控晶閘管,，且該種晶閘管的成本較高，不適宜采用,；③間接光觸發(fā)方式,，利用光纖...

5、其它要求（1）當(dāng)模塊控制變壓器負(fù)載時(shí),，如果變壓器空載,，輸出電流可能會(huì)小于晶閘管芯片的擎住電流，導(dǎo)致回路中產(chǎn)生較大直流分量,，嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒掉保險(xiǎn)絲,。為了避免出現(xiàn)上述情況，可在模塊輸出端接一固定電阻,，一般每相輸出電流不小于500mA（具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗(yàn)情況確定）,。（2）小規(guī)格模塊主電極無螺釘緊固,，極易掀起折斷,，接線時(shí)應(yīng)注意避免外力或電纜重力將電極拉起折斷。（3）嚴(yán)禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上,，以防止接觸不良產(chǎn)生附加發(fā)熱,。（4）模塊不能當(dāng)作隔離開關(guān)使用。為保證安全,，模塊輸入端前面需加空氣開關(guān),。（5）測量模塊工作殼溫時(shí)，測試點(diǎn)選擇靠近模塊底板中心的散熱器表面,?？蓪⑸崞鞅砻嬉韵聶M向打一深孔...

從而實(shí)際強(qiáng)觸發(fā)，加速了元件的導(dǎo)通,，提高了耐電流上升率的能力,。三、能耐較高的電壓上升率（dv/dt）晶閘管是由三個(gè)P—N結(jié)組成的,。每個(gè)結(jié)相當(dāng)于一個(gè)電容器,。結(jié)電壓急劇變化時(shí)，就有很大的位移電流流過元件,，它等效于控制極觸發(fā)電流的作用,?？赡苁咕чl管誤導(dǎo)通。這就是普通晶閘管不能耐高電壓上升率的原因,。為了有效防止上述誤導(dǎo)通現(xiàn)象發(fā)生,，快速晶閘管采取了短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)。把陰極和控制極按一定幾何形狀短路,。這樣一來,，即使電壓上升率較高，晶閘管的電流放大系數(shù)仍幾乎為零,，不致使晶閘管誤導(dǎo)通,。只是在電壓上升率進(jìn)一步提高，結(jié)電容位移電流進(jìn)一步增大,，在短路點(diǎn)上產(chǎn)生電壓降足夠大時(shí),，晶閘管才能導(dǎo)通。具有短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)的晶...

因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導(dǎo)致發(fā)生損壞器件的事故,。影響串聯(lián)運(yùn)行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個(gè)：1,、靜態(tài)伏安特性對靜態(tài)均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大,，串聯(lián)使用時(shí)會(huì)使電壓分配不均衡,。同時(shí)，半導(dǎo)體器件的伏安特性容易受溫度的影響,，不同的結(jié)溫也會(huì)使均壓性能受到影響,。[1]2、關(guān)斷電荷和開通時(shí)間等動(dòng)態(tài)特性對動(dòng)態(tài)均壓的影響,。晶閘管串聯(lián)運(yùn)行,，延遲時(shí)間不同，門極觸發(fā)脈沖的大小不同,，都會(huì)導(dǎo)致閥片的開通適度不同,。閥片的開通速度不同，會(huì)引起動(dòng)態(tài)電壓的不均衡,。同時(shí)關(guān)斷時(shí)間的差異也會(huì)造成各晶閘管不同時(shí)關(guān)斷的現(xiàn)象,。關(guān)斷電荷少，則易關(guān)斷,，關(guān)斷時(shí)間也短,，先關(guān)斷的元件必然承受**高的動(dòng)態(tài)電壓。[1]晶...

除了考慮通過元件的平均電流外,，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小,、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值,。2,、使用可控硅之前,，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí),，應(yīng)立即更換,。3、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況,。4,、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件,。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂，以幫于良好的散熱,。5,、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置。6,、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿,。損壞原因判別/晶閘管編輯當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中...

適應(yīng)多于六個(gè)晶閘管元件的各種大型可控整流設(shè)備,。具有完善故障,、報(bào)警檢測和保護(hù)功能。實(shí)時(shí)檢測過流,、過壓,、反饋丟失、控制板內(nèi)部故障,。設(shè)有開機(jī)給定回零,、軟啟動(dòng),、截流,、截壓、急停保護(hù),。調(diào)試簡便,，數(shù)控板調(diào)試不用示波器和萬用表。每一塊控制板均經(jīng)過了嚴(yán)格的軟件測試,、硬件老化,，以確保工作穩(wěn)定可靠。三相晶閘管觸發(fā)板適用電路①三相全控橋式可控整流電路,。②帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路,。③變壓器原邊交流調(diào)壓，副邊二極管整流電路,。④三相零式整流電路,。⑤三相半控橋式可控整流電路,。⑥三相交流相控調(diào)壓電路⑦三相五柱式雙反星形可控硅整流電路三相晶閘管觸發(fā)板正常使用條件⑴海拔高度不超過2000M。⑵環(huán)境溫度：-40℃...

下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極,、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力,、估測關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,，測量任意兩腳間的電阻,，*當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時(shí),，電阻呈低阻值,，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G,、K極,，剩下的就是A極。（此處指的模擬表,，電子式萬用表紅表筆與電池正極相連,，模擬表紅表筆與電池負(fù)極相連）光控晶閘管晶閘管光控晶閘管（LightTriggeredThyristor——LTT），又稱光觸發(fā)晶閘管,。國內(nèi)也稱GK型光開關(guān)管,，是一種光敏器件。1．光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個(gè)電極：控制極G,、陽極A和陰極K,。而光控晶閘管由于其控制信...

在恢復(fù)電流快速衰減時(shí)，由于外電路電感的作用,，會(huì)在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U,。從正向電流降為零，到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時(shí)間,，就是晶閘管的反向阻斷恢復(fù)時(shí)間t,。[1]反向恢復(fù)過程結(jié)束后，由于載流子復(fù)合過程比較慢,，晶閘管要恢復(fù)其對反向電壓的阻斷能力還需要一段時(shí)間,，這叫做反向阻斷恢復(fù)時(shí)間tgr。在反向阻斷恢復(fù)時(shí)間內(nèi)如果重新對晶閘管施加正向電壓,，晶閘管會(huì)重新正向?qū)?，而不受門極電流控制而導(dǎo)通。所以在實(shí)際應(yīng)用中,，需對晶閘管施加足夠長時(shí)間的反壓,，使晶閘管充分恢復(fù)其對正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作。晶閘管的電路換向關(guān)斷時(shí)間t定義為t與t之和,，即t=t+t除了開通時(shí)間t,、關(guān)斷時(shí)間t及觸發(fā)...

晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項(xiàng)編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)和負(fù)載在起動(dòng)時(shí)一般都比其額定電流大幾倍,，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,，建議您在選取模塊電流規(guī)格時(shí)應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下：阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍,。感性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍,。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(shí)（即模塊高輸入電壓,、低輸出電壓）輸出較大電流,，這樣會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因?yàn)樵诜钦也顟B(tài)下用普通儀表測出的電流值,，不是有效值,，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標(biāo)稱值,，但有效值會(huì)超過模塊標(biāo)稱值的幾倍,。因此，要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下...

晶閘管的種類晶閘管有多種方式分類管理方法,。（1）按關(guān)閉,、傳導(dǎo)和控制方式分類晶閘管可分為普通晶閘管、晶閘管晶閘管,、反向晶閘管,、門極關(guān)斷晶閘管、btg晶閘管,、溫控晶閘管和光控晶閘管,。（B）在銷和分類的極性晶閘管按其引腳和極性不同可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管,。（三）按封裝形式分類晶閘管其包可分為金屬封裝的晶閘管,，晶閘管塑料晶閘管和三種類型的陶瓷封裝的。其中,，所述金屬包晶閘管被分成螺栓形,，板形,，圓形殼狀等;塑料晶閘管被分成翅片型散熱器和無兩,。（四）按電流容量分類晶閘管按電流進(jìn)行容量不同可分為傳統(tǒng)大功率晶閘管、率控制晶閘管和小功率以及晶閘管三種,。通常,，大功率晶閘管多采用一些金屬殼封裝...

定義/晶閘管編輯晶閘管導(dǎo)通條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管,，逆導(dǎo)晶閘管,，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件,，在電路中用文字符號為“V”,、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。晶閘管（Thyristor）是一種開關(guān)元件,，能在高電壓,、大電流條件下工作，并且其工作過程可以控制,、被應(yīng)用于可控整流,、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān),、逆變及變頻等電子電路中,，是典型的小電流控制大電流的設(shè)備。1957年,，美國通用電器公司開發(fā)出世界上***個(gè)晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年使其商業(yè)化。結(jié)構(gòu)/晶閘管編輯晶閘管它是由一個(gè)P-N-P-N四層(4layers)半導(dǎo)體構(gòu)...

而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從其中陽極向陰極單方行為向?qū)?，所以采用可控硅有單雙向關(guān)系之分,。電子生產(chǎn)中常用的SCR，單向MCR-100,，雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分,，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝,、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來分：分為微觸型,、高靈敏度型、標(biāo)準(zhǔn)觸發(fā)型;按電壓分：常規(guī)工作電壓進(jìn)行品種,、高壓品種,。可控硅產(chǎn)品由于它在電路應(yīng)用中的效率高,、控制特性好,、壽命長、體積小,、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),，自上個(gè)世紀(jì)六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展,，并已形成了一門單獨(dú)的學(xué)科,。“晶閘管交流技術(shù)”?？煽毓璋l(fā)展到,，在工藝上已經(jīng)非常成熟，質(zhì)量更好,，收率有了很大的提高,，并向...

這對晶閘管是非常危險(xiǎn)的。開關(guān)引起的沖擊電壓分為以下幾類：（1）AC電源被切斷過電壓而產(chǎn)生例如,，交流以及開關(guān)的開閉,、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過電壓，這些系統(tǒng)過電壓問題由于我國變壓器內(nèi)部繞組的分布進(jìn)行電容,、漏抗造成的諧振控制回路,、電容分壓等使過電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地,，開閉運(yùn)動(dòng)速度越來越快過電壓能力越高,，在空載情況下可以斷開回路設(shè)計(jì)將會(huì)有更高的過電壓。（2）直流側(cè)產(chǎn)生的過電壓如果截止電路的電感很大或者截止電路的電流值很大,，就會(huì)產(chǎn)生較大的過電壓,。這種情況經(jīng)常出現(xiàn)在切斷負(fù)荷、導(dǎo)通晶閘管開路或快速熔斷器熔斷時(shí),，引起電流突變,。（3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過...

使正向電流低于維持電流IH,，或施以反向電壓強(qiáng)迫關(guān)斷,。這就需要增加換向電路，不*使設(shè)備的體積重量增大,，而且會(huì)降低效率,，產(chǎn)生波形失真和噪聲?？申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷,，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便，是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻率比GTR低,。目前,，GTO已達(dá)到3000A,、4500V的容量,。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強(qiáng)大的生命力,。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功...

它由電源變壓器,、電源穩(wěn)壓電路,、三相同步電路及處理模塊、數(shù)字調(diào)節(jié)器,、數(shù)字觸發(fā)器,、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開關(guān)量輸入,、故障及報(bào)警輸出電路,、模擬量處理及A/D轉(zhuǎn)換電路、按鍵參數(shù)設(shè)定及LED指示電路等部分組成,。三相晶閘管觸發(fā)板技術(shù)參數(shù)⑴主電路閥側(cè)額定工作線電壓：≤1000V(50HZ),。⑵控制板工作電源：單相220V±10%;電流A≤。⑶控制板同步信號：三相同步,AC380V,，50HZ,，電流A≤10mA;其他需定制。⑷UF電壓反饋信號：DC0∽10V,，內(nèi)阻抗≥20KΩ,，反饋信號比較大共模電壓≤10V，其他需定制(5)IF電流反饋信號：DC0∽5V,，內(nèi)阻抗≥20KΩ,，反饋信號比較大共模電壓≤...

其**新研制出的IGCT擁有更好的性能，其直徑為英寸,，單閥片耐壓值也是,。**大通流能力已經(jīng)可以達(dá)到180kA/30us，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us,。門極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A,，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us。但是此種開關(guān)所能承受的反向電壓較低,，因此還只能在特定的脈沖電源中使用,。[1]但晶閘管本身存在兩個(gè)制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素,。一是控制功能上的欠缺，普通的晶閘管屬于半控型器件,，通過門極（控制極）只能控制其開通而不能控制其關(guān)斷,，導(dǎo)通后控制極即不再起作用，要關(guān)斷必須切斷電源,，即令流過晶閘管的正向電流小于維持電流,。由于晶閘管的關(guān)斷不可控的特...

1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓,，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V,。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時(shí)，可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓,，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V,。通常把UDRM與URRM中較小的一個(gè)數(shù)值標(biāo)作器件型號上的額定電壓。由于瞬時(shí)過電壓也會(huì)使晶閘管遭到破壞,，因而在選用的時(shí)候,，額定電壓一個(gè)應(yīng)該為正常工作峰值電壓的2～3倍，作為安全系數(shù),。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標(biāo)準(zhǔn)散熱即全導(dǎo)通的條件下,，晶閘管元件可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流(在一個(gè)周期...

⑿脈沖輸出：六路帶調(diào)制的觸發(fā)脈沖隔離輸出;脈沖寬度：2個(gè)20°寬脈沖列、間隔60°;脈沖調(diào)制頻率10KHZ;各相脈沖不對稱度：≤°;脈沖電流峰值：>800mA⒀PID動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間≤10ms,，超調(diào)量≤1%,。⒁有回零保護(hù)、軟起動(dòng),、急停功能,。⒂比較大外形尺寸：235㎜×180㎜×50㎜。三相晶閘管觸發(fā)板三相晶閘管觸發(fā)板應(yīng)用技術(shù)編輯◆獨(dú)有三相不平衡自動(dòng)調(diào)整功能,，有效提高電能利用效率,。◆先進(jìn)的數(shù)字控制技術(shù),，改善了電網(wǎng)功率因數(shù),，可以有效節(jié)省用電量?！艟哂幸葡嘤|發(fā)與過零觸發(fā)雙重工作模式,，撥動(dòng)選擇開關(guān)，即可輕松實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換,?！舳喾N控制信號輸入：DC4~20mA、DC0~10mA,、DC1~5V,、DC0~10...

否則將遭至徹底損壞,。當(dāng)晶閘管中流過大于額定值的電流時(shí)，熱量來不及散發(fā),，使得結(jié)溫迅速升高,，終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的,，例如,，變流裝置本身晶閘管損壞,，觸發(fā)電路發(fā)生故障,，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過高,、過低或缺相,，負(fù)載過載或短路，相鄰設(shè)備故障影響等,。常用的晶閘管過電流保護(hù)方法是快速熔斷器,。由于熔絲的一般特性吹入速度太慢，吹它尚未被燒毀晶閘管保險(xiǎn)絲之前;不能用于保護(hù)晶閘管,。埋銀保險(xiǎn)石英砂內(nèi)快速熔斷器,，熔斷時(shí)間很短，它可以用來保護(hù)晶閘管,。業(yè)績快速熔斷器主要有以下特征,。晶閘管的代換晶閘管損壞后，若無同型號的晶閘管更換,，可以通過選用中國與其工作性能設(shè)計(jì)參數(shù)相近的其他產(chǎn)...

塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。晶閘管晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種,。通常,，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝，而中,、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝,。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管，快速晶閘管包括所有專為快速應(yīng)用而設(shè)計(jì)的晶閘管,，有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管,，可分別應(yīng)用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中。（備注：高頻不能等同于快速晶閘管）工作原理/晶閘管編輯晶閘管在工作過程中,，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的...

當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí),，晶閘管關(guān)斷,。工作過程/晶閘管編輯概述晶閘管是四層三端器件，它有J1,、J2,、J3三個(gè)PN結(jié)圖1，可以把它中間的NP分成兩部分,，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管,，圖2晶閘管當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)通,，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。圖2中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此,，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí)，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2,；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik,；電流放大系數(shù)相...

當(dāng)選擇替代晶閘管，無論什么參數(shù),，不要有太多的左邊距,，它應(yīng)該是盡可能接近的取代晶閘管的參數(shù)，由于過度保證金不造成浪費(fèi),，而且有時(shí)副作用,，即沒有觸發(fā)，或不敏感等,。另外,，還要留意兩個(gè)晶閘管的外形要相同，否則會(huì)給企業(yè)安裝管理工作發(fā)展帶來一些不利,。晶閘管的工作原理的陽極A和陰極K,，其陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，形成晶閘管的主電路,，晶閘管的柵極G和陰極與控制晶閘管的裝置連接,，形成晶閘管的控制電路。晶閘管的工作條件：1.當(dāng)晶閘管承受反向陽極電壓時(shí),，無論門極電壓是多少,，晶閘管都會(huì)被關(guān)閉。2.當(dāng)所述晶閘管的陽極電壓是正向,，在晶閘管的柵極電壓是正向傳導(dǎo)只的情況,。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下,，只要有一定的正向影...

當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí)，晶閘管關(guān)斷,。工作過程/晶閘管編輯概述晶閘管是四層三端器件,，它有J1、J2,、J3三個(gè)PN結(jié)圖1,，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管,，圖2晶閘管當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時(shí),，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。圖2中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流,。因此,，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí)，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2,；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik,；電流放大系數(shù)相...

圖簡單地給出了晶閘管開通和關(guān)斷過程的電壓與電流波形。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標(biāo)原點(diǎn)時(shí)刻開始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況,；而關(guān)斷過程描述的是對已導(dǎo)通的晶閘管,，在外電路所施加的電壓在某一時(shí)刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點(diǎn)劃線波形）。開通過程晶閘管的開通過程就是載流子不斷擴(kuò)散的過程,。對于晶閘管的開通過程主要關(guān)注的是晶閘管的開通時(shí)間t,。由于晶閘管內(nèi)部的正反饋過程以及外電路電感的限制，晶閘管受到觸發(fā)后,，其陽極電流只能逐漸上升,。從門極觸發(fā)電流上升到額定值的10%開始，到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的10%（對于阻性負(fù)載相當(dāng)于陽極電壓降到額定值的90%）,，這段時(shí)間稱為觸發(fā)延遲時(shí)間t,。陽極電流...