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MOS電容的詳細(xì)介紹首先考察一個(gè)更簡單的器件——MOS電容——能更好的理解MOS管,。這個(gè)器件有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬,，另一個(gè)是外在硅,，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE,，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body,。他們之間的絕緣氧化層稱為柵介質(zhì)（gatedielectric）。這個(gè)MOS電容的電特性能通過把backgate接地,，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V,。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個(gè)小電場,。在器件中，這個(gè)電場使金屬極帶輕微的正電位,，P型硅負(fù)電位,。這個(gè)電場把硅中底層的電子吸引到表面...

對于電池供電的便攜式電子設(shè)備來說，電路的工作電壓低(以鋰電池為例,，工作電壓～),，因此，電源芯片的工作電壓較低,。MOS管具有很低的導(dǎo)通電阻,，消耗能量較低，在目前流行的高效DC-DC芯片中多采用MOS管作為功率開關(guān),。但是由于MOS管的寄生電容大,，一般情況下NMOS開關(guān)管的柵極電容高達(dá)幾十皮法。這對于設(shè)計(jì)高工作頻率DC-DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)管驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)提出了更高的要求,。在低電壓ULSI設(shè)計(jì)中有多種CMOS,、BiCMOS采用自舉升壓結(jié)構(gòu)的邏輯電路和作為大容性負(fù)載的驅(qū)動電路。這些電路能夠在低于1V電壓供電條件下正常工作,，并且能夠在負(fù)載電容1～2pF的條件下工作頻率能夠達(dá)到幾十兆甚至上百兆赫茲,。本文...

這就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管,，同時(shí)高壓側(cè)的MOS管也同樣會面對1和2中提到的問題,。在這三種情況下，圖騰柱結(jié)構(gòu)無法滿足輸出要求,，而很多現(xiàn)成的MOS驅(qū)動IC,，似乎也沒有包含gate電壓限制的結(jié)構(gòu)。于是我設(shè)計(jì)了一個(gè)相對通用的電路來滿足這三種需求,。mos管工作原理圖如下：用于NMOS的驅(qū)動電路用于PMOS的驅(qū)動電路NMOS驅(qū)動電路做一個(gè)簡單分析Vl和Vh分別是低端和的電源,，兩個(gè)電壓可以是相同的，但是Vl不應(yīng)該超過Vh,。Q1和Q2組成了一個(gè)反置的圖騰柱,，用來實(shí)現(xiàn)隔離，同時(shí)確保兩只驅(qū)動管Q3和Q4不會同時(shí)導(dǎo)通,。R2和R3提供了PWM電壓基準(zhǔn),，通過改變這...

正常選擇的型號Vref=），開始一直覺得問題出在TLV431上,，后來換了板子竟發(fā)現(xiàn)可以正常穩(wěn)壓（應(yīng)該是上一個(gè)板子變壓器和MOS管出現(xiàn)問題,，但沒回去驗(yàn)證），但是mos管很燙,，帶載不到十秒鐘就會冒煙,，后來經(jīng)過與芯片方案的FAE溝通才發(fā)現(xiàn)，MSP3910的驅(qū)動MOS管的引腳gate腳與MOS管之間的限流電阻用錯(cuò)物料,，mos管工作原理圖是,，但實(shí)際用的是，更換電阻后可輸出正常電壓,，MOS管也不會很燙,。下面是解決問題思路：一、用示波器觀察所用MOS管的G極波形,，如圖一所示,，上升時(shí)間接近，下降時(shí)間接近<160ns（實(shí)測50ns）,，再看如圖二所示的手冊中對MOS驅(qū)動上升下降沿要求,，上升時(shí)間要求<35n...

柵極電壓還沒有到達(dá)VGS（th），導(dǎo)電溝道沒有形成,，MOSFET仍處于關(guān)閉狀態(tài),。2.[t1-t2]區(qū)間,GS間電壓到達(dá)Vgs（th），DS間導(dǎo)電溝道開始形成,，MOSFET開啟,，DS電流增加到ID,Cgs2迅速充電,，Vgs由Vgs（th）指數(shù)增長到Va。3.[t2-t3]區(qū)間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產(chǎn)生Millier效應(yīng),，Cgd電容增加,柵極電流持續(xù)流過,，由于Cgd電容急劇增大，抑制了柵極電壓對Cgs的充電,從而使得Vgs近乎水平狀態(tài),，Cgd電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續(xù)減小,。4.[t3-t4]區(qū)間,至t3時(shí)刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導(dǎo)通時(shí)的電壓,Mil...

CE極間相當(dāng)“短路”,即呈“開”的狀態(tài)。三極管在截止?fàn)顟B(tài)(發(fā)射結(jié),、集電結(jié)都是反偏置)時(shí),其CE極間的電流極小(硅管基本上量不到),相當(dāng)于“斷開(即‘關(guān)’)”的狀態(tài),。三極管開關(guān)電路的特點(diǎn)是開關(guān)速度極快,遠(yuǎn)遠(yuǎn)比機(jī)械開關(guān)快;沒有機(jī)械接點(diǎn),不產(chǎn)生電火花;開關(guān)的控制靈敏,對控制信號的要求低;導(dǎo)通時(shí)開關(guān)的電壓降比機(jī)械開關(guān)大,關(guān)斷時(shí)開關(guān)的漏電流比機(jī)械開關(guān)大;不宜直接用于高電壓、強(qiáng)電流的控制,。2020-08-30什么是高反壓開關(guān)三極管晶體三極管工作在開關(guān)狀態(tài)時(shí),，發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，基極電流為零,，集電極電流和發(fā)射極電流都為零,，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開關(guān)的斷開狀態(tài)，即為三極管的截止?fàn)顟B(tài),。開...

總的來說場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管,，而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類,。①封裝②類型（NMOS,、PMOS）③耐壓Vds（器件在斷開狀態(tài)下漏極和源極所能承受的比較大的電壓）④飽和電流Id⑤導(dǎo)通阻抗Rds⑥柵極閾值電壓Vgs(th)9.從MOS管實(shí)物識別管腳無論是NMOS還是PMOS按上圖方向擺正，中間的一腳為D,，左邊為G，右邊為S,?；蛘哌@么記：單獨(dú)的一腳為D，逆時(shí)針轉(zhuǎn)DGS,。這里順便提一下三極管的管腳識別：同樣按照上圖方向擺正,，中間一腳為C，左邊為B,，右邊為E,。管腳編號從G腳開始，逆時(shí)針123三極管的管腳編號同樣從B腳開始,，逆...

通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩,。為此，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個(gè),，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻,。8、結(jié)型MOS管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態(tài)下保存,，而絕緣柵型MOS管在不使用時(shí),，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路,，以免外電場作用而使管子損壞,。9、焊接時(shí),，電烙鐵外殼必須裝有外接地線,，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊接,，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接,。特別在焊接絕緣柵MOS管時(shí)，要按源極-漏極-柵極的先后順序焊接,，并且要斷電焊接,。10、用25W電烙鐵焊接時(shí)應(yīng)迅速,，若用45~75W電烙鐵焊接,，應(yīng)用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結(jié)型MOS管可...

MOS管應(yīng)用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同,，N溝道的類似NPN晶體三極管,，漏極D接正極，源極S接負(fù)極,，柵極G正電壓時(shí)導(dǎo)電溝道建立,，N溝道MOS管開始工作,如圖二所示。同樣P道的類似PNP晶體三極管,，漏極D接負(fù)極,，源極S接正極，柵極G負(fù)電壓時(shí),，導(dǎo)電溝道建立,，P溝道MOS管開始工作,如圖圖四所示；五,、MOS管的工作原理,。從上圖一可以看出增強(qiáng)型MOS管的漏極D和源極S之間有兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵-源電壓VGS=0時(shí),，即使加上漏-源電壓VDS,，總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏-源極間沒有導(dǎo)電溝道（沒有電流流過）,，所以這時(shí)漏極電流ID=0,。此時(shí)若在柵-源極間加上正向電壓,，圖二所示，即VGS...

三極管和MOS管的開關(guān)功能哪個(gè)略勝一籌我們在做電路設(shè)計(jì)中三極管和mos管做開關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制,，MOS管屬于電壓控制.2,、成本問題：三極管便宜，MOS管貴,。3,、功耗問題：三極管損耗大。4,、驅(qū)動能力：MOS管常用來電源開關(guān),，以及大電流地方開關(guān)電路。實(shí)際上就是三極管比較便宜,，用起來方便,，常用在數(shù)字電路開關(guān)控制。MOS管用于高頻高速電路,，大電流場合,，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場合,，普通應(yīng)用的先考慮用三極管,，不行的話考慮MOS管實(shí)際上說電流控制慢，電壓控制快這種理解是不對的,。要真正理解得了解雙極晶體管和mos晶體管的工作方式才能明白,。三...

由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態(tài),。下面以NMOS管為例介紹其特性,。圖(a)為由NMOS增強(qiáng)型管構(gòu)成的開關(guān)電路。NMOS的特性,，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通,，適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動)，只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了,。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通,，適合用于源極接VCC時(shí)的情況(驅(qū)動),。但是，雖然PMOS可以很方便地用作驅(qū)動,，但由于導(dǎo)通電阻大,，價(jià)格貴，替換種類少等原因,，在驅(qū)動中,，通常還是使用NMOS,。(以N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,，然后達(dá)到控制...

器件的結(jié)溫等于大環(huán)境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積（結(jié)溫=大環(huán)境溫度+［熱阻×功率耗散］）,。根據(jù)這個(gè)式子可解出系統(tǒng)的大功率耗散，即按定義相等于I2×RDS（ON）,。我們已將要通過器件的大電流,，可以計(jì)算出不同溫度下的RDS（ON）。另外,，還要做好電路板及其MOS管的散熱,。雪崩擊穿是指半導(dǎo)體器件上的反向電壓超過大值，并形成強(qiáng)電場使器件內(nèi)電流增加,。晶片尺寸的增加會提高抗雪崩能力,，終提高器件的穩(wěn)健性。因此選擇更大的封裝件可以有效防止雪崩,。4.選擇MOS管的后一步是決定MOS管的開關(guān)性能,。影響開關(guān)性能的參數(shù)有很多，但重要的是柵極/漏極,、柵極/源極及漏極/源極電容,。這些電容會在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗，因...

CE極間相當(dāng)“短路”,即呈“開”的狀態(tài),。三極管在截止?fàn)顟B(tài)(發(fā)射結(jié),、集電結(jié)都是反偏置)時(shí),其CE極間的電流極小(硅管基本上量不到),相當(dāng)于“斷開(即‘關(guān)’)”的狀態(tài)。三極管開關(guān)電路的特點(diǎn)是開關(guān)速度極快,遠(yuǎn)遠(yuǎn)比機(jī)械開關(guān)快;沒有機(jī)械接點(diǎn),不產(chǎn)生電火花;開關(guān)的控制靈敏,對控制信號的要求低;導(dǎo)通時(shí)開關(guān)的電壓降比機(jī)械開關(guān)大,關(guān)斷時(shí)開關(guān)的漏電流比機(jī)械開關(guān)大;不宜直接用于高電壓,、強(qiáng)電流的控制,。2020-08-30什么是高反壓開關(guān)三極管晶體三極管工作在開關(guān)狀態(tài)時(shí)，發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓,，基極電流為零,，集電極電流和發(fā)射極電流都為零，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開關(guān)的斷開狀態(tài),，即為三極管的截止?fàn)顟B(tài),。開...

控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。這就可以得出如下結(jié)論：1）MOS管是一個(gè)由改變電壓來控制電流的器件,，所以是電壓器件,。2）MOS管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗極高,。4,、MOS管的電壓極性和符號規(guī)則：圖1-4-（a）是N溝道MOS管的符號，圖中D是漏極,，S是源極,，G是柵極,，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N溝道的MOS管,，箭頭向外表示是P溝道的MOS管,。實(shí)際在MOS管生產(chǎn)的過程中襯底在出廠前就和源極連接，所以在符號的規(guī)則中,，表示襯底的箭頭也必須和源極相連接,，以區(qū)別漏極和源極。圖1-4-（c）是P溝道MOS管的符號,。MOS管應(yīng)用電壓的極性和我們普通的晶體三極...