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原因是導(dǎo)通電阻小,，且容易,。所以開關(guān)電源和馬達驅(qū)動的應(yīng)用中,，一般都用NMOS。下面的介紹中,，也多以NMOS為主,。在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻,，大電壓等，大電流等,，也有很多人考慮這些因素,。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是的,，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的,。1、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET）,，可以被**成增強型或耗盡型,，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管,，所以通常提到NMOS,，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管,，不建議刨...

而用開啟電壓VT表征管子的特性,。N溝道耗盡型MOS管的基本結(jié)構(gòu)（1）結(jié)構(gòu)：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強型MOS管基本相似。（2）區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時,，漏——源極間已有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生,，而增強型MOS管要在vGS≥VT時才出現(xiàn)導(dǎo)電溝道。（3）原因：制造N溝道耗盡型MOS管時,，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻入負離子),，如圖1(a)所示，因此即使vGS=0時,，在這些正離子產(chǎn)生的電場作用下,，漏——源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)生成N溝道(稱為初始溝道)，只要加上正向電壓vDS,，就有電流iD,。如果加上正的vGS，柵極與N溝道間的電...

P溝道m(xù)os管作為開關(guān)的條件（GS>GS（TH））1、P溝道m(xù)os管作為開關(guān),，柵源的閥值為，當柵源的電壓差為,，如果S為，G為,，那么GS=-1V，mos管導(dǎo)通,，D為如果S為，G為，VGSw那么mos管不導(dǎo)通,，D為0V,，所以,，如果，要mos管導(dǎo)通為系統(tǒng)供電,，系統(tǒng)連接到D,，利用G控制。那么和G相連的GPIO高電平要,，才能使mos管關(guān)斷，低電平使mos管導(dǎo)通,。如果控制G的GPIO的電壓區(qū)域為，那么GPIO高電平的時候為，GS為,，mos管導(dǎo)通,，不能夠關(guān)斷,。GPIO為低電平的時候，假如,，那么GS為,。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導(dǎo)通和關(guān)閉,。2、P溝道的源極S接輸入，漏極D導(dǎo)通輸出，N溝道...

首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管,。這個器件有兩個電極,，一個是金屬，另一個是extrinsicsilicon(外在硅),，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開,。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body,。他們之間的絕緣氧化層稱為gatedielectric(柵介質(zhì)),。圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。這個MOS電容的電特性能通過把backgate接地,，gate接不同的電壓來說明,。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個小電場,。在器件中,，這個電場使...

與電壓的情況相似,，確保所選的MOS管能承受這個額定電流,，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,，MOS管處于穩(wěn)態(tài),，此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌（或尖峰電流）流過器件,。一旦確定了這些條件下的大電流,，只需直接選擇能承受這個大電流的器件便可。選好額定電流后,，還必須計算導(dǎo)通損耗,。在實際情況下，MOS管并不是理想的器件,，因為在導(dǎo)電過程中會有電能損耗,，這稱之為導(dǎo)通損耗。MOS管在“導(dǎo)通”時就像一個可變電阻,，由器件的RDS（ON）所確定,，并隨溫度而明顯變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算,，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化,，因此功率...

控制柵極電壓VGS的大小改變了電場的強弱，就可以達到控制漏極電流ID的大小的目的,，這也是MOS管用電場來控制電流的一個重要特點,，所以也稱之為場效應(yīng)管。六：MOS的優(yōu)勢：1,、場效應(yīng)管的源極S,、柵極G、漏極D分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e,、基極b,、集電極c,，它們的作用相似,，圖一所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖二所示是P溝道MOS管和PNP型晶體三極管引腳對應(yīng)圖,。2,、場效應(yīng)管是電壓控制電流器件，由VGS控制ID,，普通的晶體三極管是電流控制電流器件,，由IB控制IC。MOS管道放大系數(shù)是（跨導(dǎo)gm）當柵極電壓改變一伏時能引起漏極電流變化多少安培,。晶體三極管是電流放大系數(shù)（貝塔β）當基...

在單個MOS管器件中有,，在集成電路光刻中沒有，這個二極管在大電流驅(qū)動中和感性負載時可以起到反向保護和續(xù)流的作用，一般正向?qū)▔航翟谧笥?。因為這個二極管的存在,，MOS器件在電路中不能簡單地看到一個開關(guān)的作用，比如充電電路中,，充電完成,，移除電源后，電池會反向向外部供電,，這個通常是我們不愿意看到的結(jié)果,。一般解決的方法是在后面增加一個二極管來防止反向供電，這樣雖然可以做到,，但是二極管的特性決定必須有的正向壓降,，在大電流的情況下發(fā)熱嚴重，同時造成能源的浪費,，使整機能效低下,。還有一個方法是再增加一個背靠背的MOS管，利用MOS管低導(dǎo)通電阻來達到節(jié)能的目的,，這一特性另一個常見的應(yīng)用為低壓同步整流,。注...

這樣不節(jié)省了硅片面積，而且簡化了工藝利于大規(guī)模集成,。常用的符號如圖1所示,。N溝MOS晶體管金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SemIConductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分,。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補型MOS集成電路即為CMOS集成電路。由p型襯底和兩個高濃度n擴散區(qū)構(gòu)成的MOS管叫作n溝道MOS管,，該管導(dǎo)通時在兩個高濃度n擴散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道,。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管,。n溝道耗盡型MOS管是指...

正常選擇的型號Vref=）,，開始一直覺得問題出在TLV431上，后來換了板子竟發(fā)現(xiàn)可以正常穩(wěn)壓（應(yīng)該是上一個板子變壓器和MOS管出現(xiàn)問題,，但沒回去驗證）,，但是mos管很燙，帶載不到十秒鐘就會冒煙,，后來經(jīng)過與芯片方案的FAE溝通才發(fā)現(xiàn),，MSP3910的驅(qū)動MOS管的引腳gate腳與MOS管之間的限流電阻用錯物料，mos管工作原理圖是,，但實際用的是,，更換電阻后可輸出正常電壓，MOS管也不會很燙。下面是解決問題思路：一,、用示波器觀察所用MOS管的G極波形,，如圖一所示，上升時間接近,，下降時間接近<160ns（實測50ns）,，再看如圖二所示的手冊中對MOS驅(qū)動上升下降沿要求，上升時間要求<35n...

器件的結(jié)溫等于大環(huán)境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積（結(jié)溫=大環(huán)境溫度+［熱阻×功率耗散］）,。根據(jù)這個式子可解出系統(tǒng)的大功率耗散,，即按定義相等于I2×RDS（ON）。我們已將要通過器件的大電流,，可以計算出不同溫度下的RDS（ON）,。另外，還要做好電路板及其MOS管的散熱,。雪崩擊穿是指半導(dǎo)體器件上的反向電壓超過大值,，并形成強電場使器件內(nèi)電流增加。晶片尺寸的增加會提高抗雪崩能力,，終提高器件的穩(wěn)健性,。因此選擇更大的封裝件可以有效防止雪崩。4.選擇MOS管的后一步是決定MOS管的開關(guān)性能。影響開關(guān)性能的參數(shù)有很多，但重要的是柵極/漏極,、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗,，因...

控制柵極電壓VGS的大小改變了電場的強弱，就可以達到控制漏極電流ID的大小的目的,，這也是MOS管用電場來控制電流的一個重要特點,，所以也稱之為場效應(yīng)管。六：MOS的優(yōu)勢：1,、場效應(yīng)管的源極S,、柵極G、漏極D分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e,、基極b,、集電極c,，它們的作用相似,，圖一所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖二所示是P溝道MOS管和PNP型晶體三極管引腳對應(yīng)圖,。2,、場效應(yīng)管是電壓控制電流器件，由VGS控制ID，普通的晶體三極管是電流控制電流器件,，由IB控制IC,。MOS管道放大系數(shù)是（跨導(dǎo)gm）當柵極電壓改變一伏時能引起漏極電流變化多少安培。晶體三極管是電流放大系數(shù)（貝塔β）當基...

,，即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管,。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體，確切的說,，這個名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu),，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬,，形成柵極,。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下,，兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,這樣的器件被認為是對稱的,。(多子)參與導(dǎo)電,，是單極型晶體管。導(dǎo)電機理與小功率MOS管相同,，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別,，小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷β蔒OSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),，又稱為VMOSFET,，提高了...

加?xùn)旁措妷菏菫榱耸蛊浣刂埂ｉ_關(guān)只有兩種狀態(tài)通和斷,，三極管和場效應(yīng)管工作有三種狀態(tài),，1、截止,，2,、線性放大，3,、飽和（基極電流繼續(xù)增加而集電極電流不再增加）,。使晶體管只工作在1和3狀態(tài)的電路稱之為開關(guān)電路，一般以晶體管截止,，集電極不吸收電流表示關(guān),；以晶體管飽和，發(fā)射極和集電極之間的電壓差接近于0V時表示開,。開關(guān)電路用于數(shù)字電路時,，輸出電位接近0V時表示0,，輸出電位接近電源電壓時表示1。所以數(shù)字集成電路內(nèi)部的晶體管都工作在開關(guān)狀態(tài),。場效應(yīng)管按溝道分可分為Ｎ溝道和Ｐ溝道管（在符號圖中可看到中間的箭頭方向不一樣）,。按材料分可分為結(jié)型管和絕緣柵型管，絕緣柵型又分為耗盡型和增強型,，一般主板上大多是...

而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時,，其特性差異很大，b值將減小很多,。6,、場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應(yīng)管,。7,、場效應(yīng)管和普通晶體三極管均可組成各種放大電路和開關(guān)電路，但是場效應(yīng)管制造工藝簡單,，并且又具有普通晶體三極管不能比擬的***特性,，在各種電路及應(yīng)用中正逐步的取代普通晶體三極管，目前的大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中,，已經(jīng)廣的采用場效應(yīng)管,。8、輸入阻抗高,，驅(qū)動功率?。河捎跂旁粗g是二氧化硅（SiO2）絕緣層，柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻,，一般達100MΩ左右,，交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。由于輸入阻抗高,，對激勵...

而用開啟電壓VT表征管子的特性,。N溝道耗盡型MOS管的基本結(jié)構(gòu)（1）結(jié)構(gòu)：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強型MOS管基本相似。（2）區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時,，漏——源極間已有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生,，而增強型MOS管要在vGS≥VT時才出現(xiàn)導(dǎo)電溝道。（3）原因：制造N溝道耗盡型MOS管時,，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻入負離子),，如圖1(a)所示，因此即使vGS=0時,，在這些正離子產(chǎn)生的電場作用下,，漏——源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)生成N溝道(稱為初始溝道)，只要加上正向電壓vDS,，就有電流iD,。如果加上正的vGS，柵極與N溝道間的電...

CE極間相當“短路”,即呈“開”的狀態(tài),。三極管在截止狀態(tài)(發(fā)射結(jié),、集電結(jié)都是反偏置)時,其CE極間的電流極小(硅管基本上量不到),相當于“斷開(即‘關(guān)’)”的狀態(tài)。三極管開關(guān)電路的特點是開關(guān)速度極快,遠遠比機械開關(guān)快;沒有機械接點,不產(chǎn)生電火花;開關(guān)的控制靈敏,對控制信號的要求低;導(dǎo)通時開關(guān)的電壓降比機械開關(guān)大,關(guān)斷時開關(guān)的漏電流比機械開關(guān)大;不宜直接用于高電壓,、強電流的控制,。2020-08-30什么是高反壓開關(guān)三極管晶體三極管工作在開關(guān)狀態(tài)時，發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓,，基極電流為零,，集電極電流和發(fā)射極電流都為零，集電極和發(fā)射極之間相當于開關(guān)的斷開狀態(tài),，即為三極管的截止狀態(tài),。開...

耐高壓的MOS管與耐低壓的MOS管區(qū)別：耐高壓的MOS管其反應(yīng)速度比耐低壓的MOS管要慢。mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體,。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下,，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,。這樣的器件被認為是對稱的,。雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化,。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）,。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET...

高壓mos管廠家什么是MOS管mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體,。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下,，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,。這樣的器件被認為是對稱的,。場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化,。FET的增益等于它的transconductance,，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MO...

對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上,。我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流。但對于場效應(yīng)管,，其輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制,，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因,。為解釋MOS管工作原理圖，我們先了解一下含有一個P—N結(jié)的二極管的工作過程,。如圖所示,，我們知道在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負極）時,，二極管導(dǎo)通,，其PN結(jié)有電流通過。這是因為在P型半導(dǎo)體端為正電壓時,，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端,，而P型半導(dǎo)...

由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態(tài),。下面以NMOS管為例介紹其特性,。圖(a)為由NMOS增強型管構(gòu)成的開關(guān)電路。NMOS的特性,，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通,，適合用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動)，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了,。PMOS的特性,，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況(驅(qū)動),。但是,，雖然PMOS可以很方便地用作驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大,，價格貴,，替換種類少等原因，在驅(qū)動中,，通常還是使用NMOS,。(以N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,，然后達到控制...

而漏極一端電壓小,，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道薄,。但當vDS較?。╲DS隨著vDS的增大,，靠近漏極的溝道越來越薄，當vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時,，溝道在漏極一端出現(xiàn)預(yù)夾斷,，如圖2(b)所示。再繼續(xù)增大vDS,，夾斷點將向源極方向移動,，如圖2(c)所示,。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區(qū),，故iD幾乎不隨vDS增大而增加，管子進入飽和區(qū),，iD幾乎由vGS決定,。N溝道增強型MOS管的特性曲線、電流方程及參數(shù)（1）特性曲線和電流方程1）輸出特性曲線N溝道增強型MOS管的輸出特性曲線如圖1(a)所示,。與結(jié)型場效應(yīng)管一樣,其輸出特性曲線也...

首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管,。這個器件有兩個電極，一個是金屬,，另一個是extrinsicsilicon(外在硅),，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE,，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body,。他們之間的絕緣氧化層稱為gatedielectric(柵介質(zhì))。圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate,。這個MOS電容的電特性能通過把backgate接地,，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V,。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個小電場,。在器件中，這個電場使...

加?xùn)旁措妷菏菫榱耸蛊浣刂?。開關(guān)只有兩種狀態(tài)通和斷,，三極管和場效應(yīng)管工作有三種狀態(tài)，1,、截止,，2、線性放大,，3,、飽和（基極電流繼續(xù)增加而集電極電流不再增加）。使晶體管只工作在1和3狀態(tài)的電路稱之為開關(guān)電路,，一般以晶體管截止,，集電極不吸收電流表示關(guān),；以晶體管飽和，發(fā)射極和集電極之間的電壓差接近于0V時表示開,。開關(guān)電路用于數(shù)字電路時,，輸出電位接近0V時表示0，輸出電位接近電源電壓時表示1,。所以數(shù)字集成電路內(nèi)部的晶體管都工作在開關(guān)狀態(tài),。場效應(yīng)管按溝道分可分為Ｎ溝道和Ｐ溝道管（在符號圖中可看到中間的箭頭方向不一樣）。按材料分可分為結(jié)型管和絕緣柵型管,，絕緣柵型又分為耗盡型和增強型,，一般主板上大多是...

三極管和MOS管的開關(guān)功能哪個略勝一籌我們在做電路設(shè)計中三極管和mos管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制.2,、成本問題：三極管便宜,，MOS管貴。3,、功耗問題：三極管損耗大,。4、驅(qū)動能力：MOS管常用來電源開關(guān),，以及大電流地方開關(guān)電路,。實際上就是三極管比較便宜，用起來方便,，常用在數(shù)字電路開關(guān)控制,。MOS管用于高頻高速電路，大電流場合,，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方,。一般來說低成本場合，普通應(yīng)用的先考慮用三極管,，不行的話考慮MOS管實際上說電流控制慢,，電壓控制快這種理解是不對的。要真正理解得了解雙極晶體管和mos晶體管的工作方式才能明白,。三...

只有當EC電流為零或者反向之后才能自行截止,，你說的應(yīng)該是可控硅吧。2020-08-30開關(guān)三極管選型怎么選3020三極管價格是多少開關(guān)三極管的外形與普通三極管外形相同,，它工作于截止區(qū)和飽和區(qū),，相當于電路的切斷和導(dǎo)通。由于它具有完成斷路和接通的作用,，工作原理分為截至狀態(tài)與導(dǎo)通狀態(tài),。1.截至狀態(tài)：當加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，基極電流為零，集電極電流和發(fā)射極電流都為零,，三極管這時失去了電流放大作用,，集電極和發(fā)射極之間相當于開關(guān)的斷開狀態(tài)，即為三極管的截止狀態(tài),。開關(guān)三極管處于截止狀態(tài)的特征是發(fā)射結(jié),，集電結(jié)均處于反向偏置。2.導(dǎo)通狀態(tài)：當加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓大于PN結(jié)的導(dǎo)通電...

首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管,。這個器件有兩個電極,，一個是金屬，另一個是extrinsicsilicon(外在硅),，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開,。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body,。他們之間的絕緣氧化層稱為gatedielectric(柵介質(zhì)),。圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate,。這個MOS電容的電特性能通過把backgate接地,，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V,。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個小電場,。在器件中，這個電場使...

不存在少子儲存效應(yīng),，因而關(guān)斷過程非常迅速,，開關(guān)時間在10—100ns之間，工作頻率可達100kHz以上,，普通的晶體三極管由于少數(shù)載流子的存儲效應(yīng),，使開關(guān)總有滯后現(xiàn)象，影響開關(guān)速度的提高（目前采用MOS管的開關(guān)電源其工作頻率可以輕易的做到100K/S～150K/S,這對于普通的大功率晶體三極管來說是難以想象的）,。10,、無二次擊穿：由于普通的功率晶體三極管具有當溫度上升就會導(dǎo)致集電極電流上升（正的溫度～電流特性）的現(xiàn)象，而集電極電流的上升又會導(dǎo)致溫度進一步的上升,，溫度進一步的上升,，更進一步的導(dǎo)致集電極電流的上升這一惡性循環(huán)。而晶體三極管的耐壓VCEO隨管溫度升高是逐步下降,，這就形成了管溫繼...

mos管導(dǎo)通電阻mos管導(dǎo)通特性與條件（一）mos管導(dǎo)通特性金屬-氧化層半導(dǎo)體場效晶體管,，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistorMOSFET）是一種可以廣使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effecttransistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同,，可分為“N型”與“P型”的MOSFET,，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS?FET、PMOSFET,、nMOSFET,、pMOSFET等。導(dǎo)通的意思是作為開關(guān),，相當于開關(guān)閉合,。NMOS的特性，Vgs大于一定的值...

MOSFET),、快速恢復(fù)二極管,、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計，集研發(fā),、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè),。2005年在深圳福田，KIA半導(dǎo)體開啟了前行之路,，注冊資金1000萬,，辦公區(qū)域達1200平方，已經(jīng)擁有了單獨的研發(fā)中心,，研發(fā)人員以來自韓國(中國臺灣)超前列團隊,，可以快速根據(jù)客戶應(yīng)用領(lǐng)域的個性來設(shè)計方案，同時引進多臺國外先進設(shè)備,，業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數(shù)檢測,、雪崩能量檢測、可靠性實驗,、系統(tǒng)分析,、失效分析等領(lǐng)域。強大的研發(fā)平臺,，使得KIA在工藝制造,、產(chǎn)品設(shè)計方面擁有知識產(chǎn)權(quán)35項，并掌握多項場效應(yīng)管中信制造技術(shù),。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的中信競爭力,。強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造,、產(chǎn)品設(shè)...

一,、什么是MOS管？MOS管全稱金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,，英文名metaloxidesemiconductor,，屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型，因此,，MOS管有時候又稱為絕緣柵場效應(yīng)管,。二,、MOS管的構(gòu)造。MOS管這個器件有兩個電極,，分別是漏極D和源極S,，無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻,、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+/P+區(qū),，并用金屬鋁引出漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的N/P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜,，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極,，作為柵極G。這就構(gòu)成了...