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二極管算是半導(dǎo)體家族中的元老了,，早在***次世界大戰(zhàn)末期就已出現(xiàn)晶體檢波器，從1930年開始，半導(dǎo)體整流器開始投入市場(chǎng),。二極管模塊分為：快恢復(fù)二極管模塊,，肖特基二極管模塊,，整流二極管模塊,、光伏防反二極管模塊等,。而二極管和二極管模塊主要區(qū)別是功率,、速度和封裝不同,。二級(jí)管一般指電流、電壓,、功率比較小的單管,，一般電流在幾個(gè)安培以內(nèi)，電壓比較高1000多V,，但是反向恢復(fù)素很快,，只有幾個(gè)ns至幾十個(gè)ns，用在小功率開關(guān)電源做輸出整流,，或需要頻繁開關(guān)的場(chǎng)合,，其封裝一般是塑封、玻璃封裝,、陶瓷封裝等,。二極管模塊指封裝成模塊的二極管，功率較大,，幾十,、幾百安培，主要用于整流,，在大功率設(shè)備上使用,，如電焊機(jī)等...

閉環(huán)控制在一定的負(fù)載和電網(wǎng)范圍內(nèi)能保持輸出電流或者電壓穩(wěn)定?？刂菩盘?hào)與輸出電流,、電壓是線性關(guān)系；7,、模塊內(nèi)有無(wú)保護(hù)功能智能模塊內(nèi)部一般不帶保護(hù),，穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊帶有過(guò)流、缺相等保護(hù)功能。8,、模塊內(nèi)晶閘管觸發(fā)脈沖形式晶閘管觸發(fā)采用的是寬脈沖觸發(fā),，觸發(fā)脈沖寬度大于5ms（毫秒）。以上就是使用晶閘管模塊的八大常識(shí),，希望對(duì)您有所幫助,。上一個(gè)：直流控制交流可以用可控硅模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)嗎？下一個(gè)：用可控硅模塊三相異步電動(dòng)機(jī)速度的方法返回列表相關(guān)新聞2019-07-20晶閘管模塊串聯(lián)時(shí)對(duì)于數(shù)量有什么要求以及注意事項(xiàng)2019-03-16使用可控硅模塊的**準(zhǔn)則2018-09-15正高講晶閘管模塊值得注意的事項(xiàng)2...

IGBT模塊上有一個(gè)“續(xù)流二極管”,。它有什么作用呢,？答：當(dāng)PWM波輸出的時(shí)候，它是維持電機(jī)內(nèi)的電流不斷用的,。我在說(shuō)明變頻器逆變?cè)淼臅r(shí)候,，用的一個(gè)電阻做負(fù)載。電阻做負(fù)載,，它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷,，上圖所示的原理沒有問題,。但變頻器實(shí)際是要驅(qū)動(dòng)電機(jī)的,，接在電機(jī)的定子上面，定子是一組線圈繞成的,，就是“電感”,。電感有一個(gè)特點(diǎn)：它的內(nèi)部的電流不能進(jìn)行突變。所以當(dāng)采用PWM波輸出電壓波形時(shí),，加在電機(jī)上的電壓就是“斷斷續(xù)續(xù)”的,，這樣電機(jī)內(nèi)的電流就會(huì)“斷斷續(xù)續(xù)”的，這就給電機(jī)帶來(lái)嚴(yán)重的后果：由于電感斷流時(shí),，會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì),，這個(gè)電動(dòng)勢(shì)加在IGBT上面，對(duì)IGBT會(huì)有損害,。解決的辦法：在IGBT的...

這個(gè)反電動(dòng)勢(shì)可以對(duì)電容進(jìn)行充電,。這樣，正極的電壓也不會(huì)上升,。如下圖：坦白說(shuō),，上面的這個(gè)解釋節(jié)我寫得不是很有信心，我希望有高人出來(lái)指點(diǎn)一下,。歡迎朋友在評(píng)論中留言,。我會(huì)在后面寫《變頻器的輸出電流》一節(jié)中，通過(guò)實(shí)際的電流照片,，驗(yàn)證這個(gè)二極管的作用?，F(xiàn)在來(lái)解釋在《變頻器整流部分元件》中說(shuō)，在《電流整流的方式分類》中講的“也可以用IGBT進(jìn)行整流”有問題的。IGBT,通常就是一個(gè)元件,，它不帶續(xù)流二極管,。即是這個(gè)符號(hào)：商用IGBT模塊，都是將“IGBT+續(xù)流二極管”集成在一個(gè)整體部件中,，即下面的這個(gè)符號(hào),。在工廠中，我們稱這個(gè)整體部件叫IGBT,，不會(huì)說(shuō)“IGBT模塊”,。我們可以用“IGBT模塊”搭接...

其它端口為特殊端口，只在具有多功能產(chǎn)品中使用,，普通調(diào)壓產(chǎn)品其余腳為空腳,。4、各引腳功能與控制線顏色對(duì)照表引腳功能腳號(hào)與對(duì)應(yīng)的引線顏色5芯接插件9芯接插件15芯接插件+12V5(紅色)1(紅色)1(紅色)GND4(黑色)2(黑色)2(黑色)GND13(黑色)3(黑白雙色)3(黑白雙色)CON10V2(中黃)4(中黃)4(中黃)TESTE1(橙色)5(橙色)5(橙色)CON20mA9(棕色)9(棕色)5,、滿足模塊工作的必要條件模塊使用中必須具有以下條件：（1）,、+12V直流電源：模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。①輸出電壓要求：+12V電源：12±,，紋波電壓小于20mv,。②輸出電流要求：標(biāo)稱電流...

本實(shí)用新型屬于智能功率模塊保護(hù)電路技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種ipm模塊短路檢測(cè)電路,。背景技術(shù)：ipm(intelligentpowermodule),，即智能功率模塊，不僅把功率開關(guān)器件和驅(qū)動(dòng)電路集成在一起,。而且其內(nèi)部還集成有過(guò)電壓,，過(guò)電流和過(guò)熱等故障檢測(cè)電路，并可將檢測(cè)信號(hào)送到cpu,。它由高速低功耗的管芯和優(yōu)化的門極驅(qū)動(dòng)電路以及快速保護(hù)電路構(gòu)成,。即使發(fā)生負(fù)載事故或使用不當(dāng)，也可以保證ipm自身不受損壞,。近年來(lái),，ipm模塊已經(jīng)在汽車電子、機(jī)車牽引和新能源等各個(gè)領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用,。隨著ipm模塊在各個(gè)領(lǐng)域的進(jìn)一步應(yīng)用,，對(duì)ipm模塊的及其應(yīng)用的要求也進(jìn)一步提高，由于大功率ipm模塊通常工作在高壓大電...

1,、晶閘管智能模塊的應(yīng)用領(lǐng)域該智能模塊廣泛應(yīng)用于控溫,、調(diào)光、勵(lì)磁,、電鍍,、電解,、充放電、電焊機(jī),、等離子拉弧,、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè),、通訊,、**等各類電氣控制、電源等,，根據(jù)還可通過(guò)模塊的控制端口與多功能控制板連接,，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓,、軟啟動(dòng)等功能,，并可實(shí)現(xiàn)過(guò)流、過(guò)壓,、過(guò)溫,、缺相等保護(hù)功能。2,、晶閘管智能模塊的控制方式通過(guò)輸入模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào),，通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過(guò)程,。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表,、計(jì)算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法,；控制信號(hào)...

下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實(shí)施方式的平面示意圖,。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明,，但應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，這些實(shí)施方式并非對(duì)本發(fā)明的限制,，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能,、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代,，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi),。如圖1所示，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1,、蓋板2,、銅底板3、形成于所述蓋板2上的***接頭4、第二接頭5和第三接頭6,、封裝于所述外殼1內(nèi)部的***晶閘管單元和第二晶閘管單元...

1引言本文引用地址：article/201808/(InsulatedGateBipolarTransistor,絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(Metallicoxidesemiconductorfieldeffecttransistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等高頻自關(guān)斷器件應(yīng)用的日益***,驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就顯得尤為重要,。本文介紹了一種以CONCEPT公司的IGD515EI驅(qū)動(dòng)器為主要器件構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路,適用于大功率、高耐壓IGBT模塊串,、并聯(lián)電路的驅(qū)動(dòng)和保護(hù),。通過(guò)光纖傳輸驅(qū)動(dòng)及狀態(tài)識(shí)別信號(hào),進(jìn)行高壓隔離傳輸,具有良好的抗電磁干擾性能和高于15A的驅(qū)動(dòng)電流。因此,該電路適...

不需要具體計(jì)算IAT,、IG之值,，只要讀出二者所對(duì)應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)，即可迅速估測(cè)關(guān)斷增益值,。晶體閘流管注意事項(xiàng)編輯（1）在檢查大功率GTO器件時(shí),，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′，以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流,，使GTO可靠地導(dǎo)通,。（2）要準(zhǔn)確測(cè)量GTO的關(guān)斷增益βoff，必須有**測(cè)試設(shè)備,。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè),。由于測(cè)試條件不同，測(cè)量結(jié)果*供參考,，或作為相對(duì)比較的依據(jù),。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,，使陽(yáng)極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài),。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐...

用戶自備時(shí)按以下原則選?。?,、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s；2,、必須能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于80℃,；3、模塊負(fù)載較輕時(shí),，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻,；4、采用自然方式冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能實(shí)現(xiàn)對(duì)流并適當(dāng)增大散熱器面積,；5,、所有緊固模塊的螺釘必須擰緊，壓線端子連接牢固,，以減少次生熱量的產(chǎn)生,，模塊底板和散熱器之間必須要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊,，以達(dá)到**佳散熱效果。8,、模塊的安裝與維護(hù)（1）在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器表面各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂,，然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上，固定螺釘不要一次擰緊,，幾個(gè)螺釘要依次固定,，用力要均勻，反復(fù)幾次,，直至牢固,，...

通過(guò)在ipm模塊發(fā)射極端子與柵極端子之間設(shè)置相互連接的低阻值電阻r、放大濾波電路,、保護(hù)電路和驅(qū)動(dòng)電路,，形成ipm模塊的短路檢測(cè)電路，放大濾波電路能放大流過(guò)電阻r的電流信號(hào),，采集電流所需時(shí)間極短且濾除干擾電流毛刺,，電流放大后更易于進(jìn)行閾值電流值的設(shè)置，有效的提高了短路電流檢測(cè)的精確度,，縮短了短路檢測(cè)時(shí)間,；放大后的電流信號(hào)傳遞給保護(hù)電路，使保護(hù)電路能夠短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)出ipm模塊是否發(fā)生短路,，對(duì)ipm模塊進(jìn)行保護(hù),，避免了ipm模塊中芯片因承受過(guò)大的短路電流而燒毀，從而提高了ipm模塊的可靠性和使用壽命,。附圖說(shuō)明圖1是本實(shí)用新型ipm模塊短路檢測(cè)電路的原理圖,；圖2是本實(shí)用新型ipm模塊短路檢測(cè)電...

所述第三接頭6包括：第三螺栓和第三螺母，所述第三螺栓和第三螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈,。此外,，所述***晶閘管單元中，所述***壓塊7上還設(shè)置有絕緣套管,。其中，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈,。相類似地,，所述第二晶閘管單元中，所述第二壓塊12上還設(shè)置有絕緣套管,。其中,，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。為了實(shí)現(xiàn)門極銅排的安裝,，所述外殼1上還設(shè)置有門極銅排安裝座,。綜上所述,，本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過(guò)設(shè)置***接頭、第二接頭和第三接頭,、封裝于外殼內(nèi)部的***晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制,，有效保證了電力系統(tǒng)的正常運(yùn)行。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,，顯然本發(fā)...

二極管算是半導(dǎo)體家族中的元老了,，早在***次世界大戰(zhàn)末期就已出現(xiàn)晶體檢波器，從1930年開始,，半導(dǎo)體整流器開始投入市場(chǎng),。二極管模塊分為：快恢復(fù)二極管模塊，肖特基二極管模塊,，整流二極管模塊,、光伏防反二極管模塊等。而二極管和二極管模塊主要區(qū)別是功率,、速度和封裝不同,。二級(jí)管一般指電流、電壓,、功率比較小的單管,，一般電流在幾個(gè)安培以內(nèi)，電壓比較高1000多V,，但是反向恢復(fù)素很快,，只有幾個(gè)ns至幾十個(gè)ns，用在小功率開關(guān)電源做輸出整流,，或需要頻繁開關(guān)的場(chǎng)合,，其封裝一般是塑封、玻璃封裝,、陶瓷封裝等,。二極管模塊指封裝成模塊的二極管，功率較大,，幾十,、幾百安培，主要用于整流,，在大功率設(shè)備上使用,，如電焊機(jī)等...

因?yàn)檎５膲好綦娮枇＝鐚又挥幸欢ù笮〉姆烹娙萘亢头烹姶螖?shù)，標(biāo)稱電壓值不*會(huì)隨著放電次數(shù)增多而下降,，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降,，當(dāng)大到某一電流時(shí)，標(biāo)稱電壓下降到0,，壓敏電阻出現(xiàn)穿孔,，甚至炸裂,；因此必須限定通流容量。漏電流：指加一半標(biāo)稱直流電壓時(shí)測(cè)得的流過(guò)壓敏電阻的電流,。由于壓敏電阻的通流容量大,，殘壓低，抑制過(guò)電壓能力強(qiáng),；平時(shí)漏電流小,，放電后不會(huì)有續(xù)流，元件的標(biāo)稱電壓等級(jí)多,，便于用戶選擇,；伏安特性是對(duì)稱的，可用于交,、直流或正負(fù)浪涌,；因此用途較廣。2,、過(guò)電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小,、熱容量小，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制,，否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管...

下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極,、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力,、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔,，測(cè)量任意兩腳間的電阻,，*當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時(shí),，電阻呈低阻值,，對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G,、K極,，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示,，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,，紅表筆接K極，電阻為無(wú)窮大,；然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極，加上正向觸發(fā)信號(hào),，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通,；**后脫開G極,，只要GTO維持通態(tài)，就說(shuō)明被測(cè)管具有觸發(fā)能力,。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力,，如圖2(b)所示,，表Ⅰ的...

它具有很強(qiáng)的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時(shí)過(guò)電壓承受能力，因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC),、靜止無(wú)功功率補(bǔ)償(SVC)等領(lǐng)域。其研制水平大約為8000V/3600A,。逆變晶閘因具有較短的關(guān)斷時(shí)間(10～15s)而主要用于中頻感應(yīng)加熱,。在逆變電路中，它已讓位于GTR,、GTO,、IGBT等新器件。目前,，其最大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內(nèi),。5非對(duì)稱晶閘是一種正、反向電壓耐量不對(duì)稱的晶閘管,。而逆導(dǎo)晶閘管不過(guò)是非對(duì)稱晶閘管的一種特例,，是將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。與普通晶閘管相比,，它具有關(guān)斷時(shí)間短,、正向...

還有一個(gè)小問題：因?yàn)?010內(nèi)建死區(qū)**小為300NS，不能到0死區(qū),，所以,，還原的饅頭波，可能會(huì)有150NS的收縮,，造成合成的正弦波在過(guò)0點(diǎn)有一點(diǎn)交越失真,，如果8010能做到有一檔是0死區(qū)，我這個(gè)問題就能完美解決了,。經(jīng)和屹晶的許工聯(lián)系,，他說(shuō)可以做成0死區(qū)的，看來(lái)是第二版可以做得更完美了,。驅(qū)動(dòng)板做好了,，但我這里沒有大功率的高壓電源進(jìn)行帶功率的測(cè)試，只得寄給神八兄,，讓他對(duì)這塊驅(qū)動(dòng)板進(jìn)行一番***的測(cè)試,，現(xiàn)在，這塊板還在路上。神八兄測(cè)試的過(guò)程和結(jié)果,，可以跟在這個(gè)貼子上,，經(jīng)享眾朋友。在母線電壓392的情況下,，做短路試驗(yàn),，試了十多次，均可靠保護(hù),，沒有燒任何東西,，帶載短路也試了幾次，保護(hù)靈敏可靠,，...

二）按引腳和極性分類晶體閘流管晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管,、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管,、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型,。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管,、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常,，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝,，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝,。（五）按關(guān)斷速度分類晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管,。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極A和陰極...

本實(shí)用新型屬于智能功率模塊保護(hù)電路技術(shù)領(lǐng)域,，涉及一種ipm模塊短路檢測(cè)電路,。背景技術(shù)：ipm(intelligentpowermodule)，即智能功率模塊,，不僅把功率開關(guān)器件和驅(qū)動(dòng)電路集成在一起,。而且其內(nèi)部還集成有過(guò)電壓，過(guò)電流和過(guò)熱等故障檢測(cè)電路,，并可將檢測(cè)信號(hào)送到cpu,。它由高速低功耗的管芯和優(yōu)化的門極驅(qū)動(dòng)電路以及快速保護(hù)電路構(gòu)成。即使發(fā)生負(fù)載事故或使用不當(dāng),，也可以保證ipm自身不受損壞,。近年來(lái)，ipm模塊已經(jīng)在汽車電子、機(jī)車牽引和新能源等各個(gè)領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用,。隨著ipm模塊在各個(gè)領(lǐng)域的進(jìn)一步應(yīng)用,，對(duì)ipm模塊的及其應(yīng)用的要求也進(jìn)一步提高，由于大功率ipm模塊通常工作在高壓大電...

5）由硒堆及壓敏電阻等非線性元件組成吸收回路上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的,，有時(shí)對(duì)時(shí)間短、峰值高,、能量大的過(guò)電壓來(lái)不及放電,，抑制過(guò)電壓的效果較差。因此,，一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件,。硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓和溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高,；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性,，能多次使用，當(dāng)過(guò)電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,，又重新恢復(fù)其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極,，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),，只有很小的漏電流,，...

設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn):①IGBT柵極耐壓一般在±20V左右，因此驅(qū)動(dòng)電路輸出端要給柵極加電壓保護(hù),，通常的做法是在柵極并聯(lián)穩(wěn)壓二極管或者電阻,。前者的缺陷是將增加等效輸入電容Cin，從而影響開關(guān)速度,，后者的缺陷是將減小輸入阻抗,，增大驅(qū)動(dòng)電流，使用時(shí)應(yīng)根據(jù)需要取舍,。②盡管IGBT所需驅(qū)動(dòng)功率很小,，但由于MOSFET存在輸入電容Cin，開關(guān)過(guò)程中需要對(duì)電容充放電,，因此驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流應(yīng)足夠大,，這一點(diǎn)設(shè)計(jì)者往往忽略。假定開通驅(qū)動(dòng)時(shí),，在上升時(shí)間tr內(nèi)線性地對(duì)MOSFET輸入電容Cin充電,，則驅(qū)動(dòng)電流為Igt=CinUgs/tr，其中可取tr=2。2RCin,，R為輸入回路電阻,。③為可靠關(guān)閉IGBT...

通過(guò)在ipm模塊發(fā)射極端子與柵極端子之間設(shè)置相互連接的低阻值電阻r、放大濾波電路,、保護(hù)電路和驅(qū)動(dòng)電路,，形成ipm模塊的短路檢測(cè)電路，放大濾波電路能放大流過(guò)電阻r的電流信號(hào),，采集電流所需時(shí)間極短且濾除干擾電流毛刺,，電流放大后更易于進(jìn)行閾值電流值的設(shè)置，有效的提高了短路電流檢測(cè)的精確度,，縮短了短路檢測(cè)時(shí)間,；放大后的電流信號(hào)傳遞給保護(hù)電路，使保護(hù)電路能夠短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)出ipm模塊是否發(fā)生短路,，對(duì)ipm模塊進(jìn)行保護(hù),，避免了ipm模塊中芯片因承受過(guò)大的短路電流而燒毀，從而提高了ipm模塊的可靠性和使用壽命,。附圖說(shuō)明圖1是本實(shí)用新型ipm模塊短路檢測(cè)電路的原理圖,；圖2是本實(shí)用新型ipm模塊短路檢測(cè)電...

本實(shí)用新型屬于智能功率模塊保護(hù)電路技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種ipm模塊短路檢測(cè)電路,。背景技術(shù)：ipm(intelligentpowermodule),，即智能功率模塊，不僅把功率開關(guān)器件和驅(qū)動(dòng)電路集成在一起,。而且其內(nèi)部還集成有過(guò)電壓,，過(guò)電流和過(guò)熱等故障檢測(cè)電路，并可將檢測(cè)信號(hào)送到cpu,。它由高速低功耗的管芯和優(yōu)化的門極驅(qū)動(dòng)電路以及快速保護(hù)電路構(gòu)成,。即使發(fā)生負(fù)載事故或使用不當(dāng)，也可以保證ipm自身不受損壞,。近年來(lái),，ipm模塊已經(jīng)在汽車電子、機(jī)車牽引和新能源等各個(gè)領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用,。隨著ipm模塊在各個(gè)領(lǐng)域的進(jìn)一步應(yīng)用,，對(duì)ipm模塊的及其應(yīng)用的要求也進(jìn)一步提高，由于大功率ipm模塊通常工作在高壓大電...

2,、肖特基二極管模塊肖特基二極管A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬半導(dǎo)體器件,。特性是正向?qū)妷旱?，反向恢?fù)時(shí)間小,，正向整流大，應(yīng)用在低壓大電流輸出場(chǎng)合做高頻整流,。肖特基二極管模塊分50V肖特基二極管模塊,，100V肖特基二極管模塊，150V肖特基二極管模塊,，200V肖特基二極模塊等,。3、整流器二極管模塊整流二極管模塊是利用二極管正向?qū)?，反向截止的原理,，將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橘|(zhì)量電能的半導(dǎo)體器件。特性是耐高壓,，功率大，整流電流較大,，工作頻率較低,，主要用于各種低頻半波整流電路，或連成整流橋做全波整流,。整流管模塊一般是400-3000V的電壓,。4、光...

3.輕松啟動(dòng)一臺(tái)3700W的水泵,，水泵工作正常,。4.測(cè)試了帶感性負(fù)載情況下的短路保護(hù)，保護(hù)正常,。5.母線電壓366V情況下,，空載電流24MA，其中包括輔助電源部分13MA,。6.效率：4400W輸出時(shí),，效率。發(fā)點(diǎn)測(cè)試的圖這是空載的輸入電壓和輸出電壓這個(gè)是帶11根小太陽(yáng)的輸入電壓和輸出電壓和輸出電流,，鉗流表的電流不太準(zhǔn)電感熱不熱你450V電解電容10KW要多放個(gè)電感風(fēng)冷的情況下滿載10KW溫度可以接受,，不開風(fēng)扇電感只能在5KW以內(nèi)不熱，電感是用6平方的沙包線4個(gè)77110A疊在一起繞的電感,。電容是小點(diǎn)現(xiàn)在是一個(gè)3300UF的再加一個(gè)就足夠了,，我的母線是28塊100AH的電瓶串聯(lián)起來(lái)的這電路...

二）按引腳和極性分類晶體閘流管晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管,。（三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管,、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中,，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管,、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常,，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝,，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝,。（五）按關(guān)斷速度分類晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管,。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極A和陰極...

設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn):①IGBT柵極耐壓一般在±20V左右,，因此驅(qū)動(dòng)電路輸出端要給柵極加電壓保護(hù),，通常的做法是在柵極并聯(lián)穩(wěn)壓二極管或者電阻。前者的缺陷是將增加等效輸入電容Cin,，從而影響開關(guān)速度,，后者的缺陷是將減小輸入阻抗，增大驅(qū)動(dòng)電流,，使用時(shí)應(yīng)根據(jù)需要取舍,。②盡管IGBT所需驅(qū)動(dòng)功率很小，但由于MOSFET存在輸入電容Cin,，開關(guān)過(guò)程中需要對(duì)電容充放電,，因此驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流應(yīng)足夠大，這一點(diǎn)設(shè)計(jì)者往往忽略,。假定開通驅(qū)動(dòng)時(shí),，在上升時(shí)間tr內(nèi)線性地對(duì)MOSFET輸入電容Cin充電，則驅(qū)動(dòng)電流為Igt=CinUgs/tr,，其中可取tr=2,。2RCin，R為輸入回路電阻,。③為可靠關(guān)閉IGBT...

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若u參照?qǐng)D2,，保護(hù)電路4包括依次相連接的電阻r1、高壓二極管d2,、電阻r2,、限幅電路和比較器，限幅電路包括二極管vd1和二極管vd2,，限幅電路中二極管vd1輸入端分別接+15v電源和電阻r2,，二極管vd1輸出端與二極管vd2輸入端相連接，二極管vd2輸出端接地,，高壓二極管d2輸出端與二極管vd2輸入端相連接,，二極管vd1輸出端與比較器輸入端相連接，放大濾波電路3與電阻r1相連接,。放大濾波電路將采集到的流過(guò)電阻r7的電流放大后輸入保護(hù)電路,，該電流經(jīng)電阻r1形成電壓，高壓二極管d2防止功率側(cè)的高壓對(duì)前端比較器造成干擾,，二極管vd1和二極管vd2組成限幅電路，可防止二極管vd1和二極管vd2...