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目前國(guó)內(nèi)從事半導(dǎo)體光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)包括晶瑞股份,、南大光電,、上海新陽(yáng)、北京科華等,。相關(guān)企業(yè)以i 線,、g線光刻膠生產(chǎn)為主，應(yīng)用集成電路制程為350nm以上,。在KrF光刻膠領(lǐng)域,，北京科華、博康已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),。國(guó)內(nèi)在ArF光刻膠領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程相對(duì)較快的企業(yè)為南大光電,，其先后承擔(dān)國(guó)家02專(zhuān)項(xiàng)“高分辨率光刻膠與先進(jìn)封裝光刻膠產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”和“ArF光刻膠產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成為國(guó)內(nèi)通過(guò)客戶驗(yàn)證的國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠,，其他國(guó)內(nèi)企業(yè)尚處于研發(fā)和驗(yàn)證階段,。光刻膠行業(yè)日系企業(yè)實(shí)力雄厚，國(guó)內(nèi)廠商有望復(fù)刻成功經(jīng)驗(yàn),。蘇州顯示面板光刻膠曝光光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工...

受制于國(guó)內(nèi)光刻膠技術(shù)發(fā)展水平,，目前我國(guó)前沿光刻膠的自給率仍然保持較低水平。盡管?chē)?guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)保持良好的增長(zhǎng)趨勢(shì),，但以KrF,、ArF光刻膠為主的半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額仍然較小，前沿光刻膠市場(chǎng)長(zhǎng)期為國(guó)外巨頭所壟斷,。從技術(shù)水平來(lái)看,，目前中國(guó)本土光刻膠的整體技術(shù)水平與國(guó)際先進(jìn)水平存在明顯差距，且主要集中在技術(shù)含量較低的PCB光刻膠領(lǐng)域,，而在半導(dǎo)體光刻膠和LCD光刻膠方面自給率較低,。具體而言，半導(dǎo)體光刻膠中g(shù)線/i線光刻膠國(guó)產(chǎn)化率為10%,，而ArF/KrF光刻膠的國(guó)產(chǎn)化率為1%,，對(duì)于前沿的EUV光刻膠目前仍處于研發(fā)階段。光刻膠生產(chǎn)工藝復(fù)雜，技術(shù)壁壘高,，其研發(fā)和量產(chǎn)對(duì)企業(yè)都具有極高要求,。濕膜光刻膠曝...

光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè),。從事微電子化學(xué)品業(yè)務(wù)需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù),，如混配技術(shù)、分離技術(shù),、純化技術(shù)以及與生產(chǎn)過(guò)程相配套的分析檢驗(yàn)技術(shù),、環(huán)境處理與監(jiān)測(cè)技術(shù)等。同時(shí),，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的使用場(chǎng)景要求微電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)有較強(qiáng)的配套能力,，以及時(shí)研發(fā)和改進(jìn)產(chǎn)品工藝來(lái)滿足客戶的個(gè)性化需求。光刻膠的生產(chǎn)工藝主要過(guò)程是將感光材料,、樹(shù)脂,、溶劑等主要原料在恒溫恒濕 1000 級(jí)的黃光區(qū)潔凈房進(jìn)行混合，在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下充分?jǐn)嚢?，使其充分混合形成均相液體,，經(jīng)過(guò)多次過(guò)濾，并通過(guò)中間過(guò)程控制和檢驗(yàn),，使其達(dá)到工藝技術(shù)和質(zhì)量要求,，然后做產(chǎn)品檢驗(yàn)，...

從90年代后半期開(kāi)始,，光刻光源就開(kāi)始采用248nm的KrF激光,；而從2000年代開(kāi)始，光刻就進(jìn)一步轉(zhuǎn)向使用193nm波長(zhǎng)的ArF準(zhǔn)分子激光作為光源,。在那之后一直到目前的約20年里,，193nm波長(zhǎng)的ArF準(zhǔn)分子激光一直是半導(dǎo)體制程領(lǐng)域性能可靠，使用較多的光刻光源,。一般而言,，KrF（248nm）光刻膠使用聚對(duì)羥基苯乙烯及其衍生物作為成膜樹(shù)脂，使用磺酸碘鎓鹽和硫鎓鹽作為光致酸劑,；而ArF（193nm）光刻膠則多使用聚甲基丙烯酸酯衍生物，環(huán)烯烴-馬來(lái)酸酐共聚物,，環(huán)形聚合物等作為成膜樹(shù)脂,；由于化學(xué)結(jié)構(gòu)上的原因，Arf(193nm)光刻膠需要比KrF（248nm）光刻膠更加敏感的光致酸劑,。目前,，我國(guó)光刻膠...

隨著IC集成度的提高，世界集成電路的制程工藝水平按已由微米級(jí)、亞微米級(jí),、深亞微米級(jí)進(jìn)入到納米級(jí)階段,。集成電路線寬不斷縮小的趨勢(shì)，對(duì)包括光刻在內(nèi)的半導(dǎo)體制程工藝提出了新的挑戰(zhàn),。在半導(dǎo)體制程的光刻工藝中,，集成電路線寬的特征尺寸可以由如右所示的瑞利公式確定：CD=k1*λ/NA。CD (Critical Dimension)表示集成電路制程中的特征尺寸,；k1是瑞利常數(shù),，是光刻系統(tǒng)中工藝和材料的一個(gè)相關(guān)系數(shù)；λ是曝光波長(zhǎng),，而NA(Numerical Aperture)則是指光刻機(jī)的孔徑數(shù)值,。因此，光刻機(jī)需要通過(guò)降低瑞利常數(shù)和曝光波長(zhǎng),，增大孔徑尺寸來(lái)制造具有更小特征尺寸的集成電路,。其中降低曝光波長(zhǎng)與光刻...

在半導(dǎo)體集成電路光刻技術(shù)開(kāi)始使用深紫外（DUV）光源以后，化學(xué)放大（CAR）技術(shù)逐漸成為行業(yè)應(yīng)用的主流,。在化學(xué)放大光刻膠技術(shù)中,，樹(shù)脂是具有化學(xué)基團(tuán)保護(hù)因而難以溶解的聚乙烯?；瘜W(xué)放大光刻膠使用光致酸劑（PAG）作為光引發(fā)劑,。當(dāng)光刻膠曝光后，曝光區(qū)域的光致酸劑（PAG）將會(huì)產(chǎn)生一種酸,。這種酸在后熱烘培工序期間作為催化劑,，將會(huì)移除樹(shù)脂的保護(hù)基團(tuán)從而使得樹(shù)脂變得易于溶解?；瘜W(xué)放大光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍,，對(duì)深紫外光源具有良好的光學(xué)敏感性，同時(shí)具有高對(duì)比度,，對(duì)高分辨率等優(yōu)點(diǎn),。按照曝光波長(zhǎng)分類(lèi)；光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）,、深紫外光刻膠（160~280nm）,、極紫外光刻膠（EU...

光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域,，是典型的技術(shù)密集行業(yè),。從事微電子化學(xué)品業(yè)務(wù)需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù)，如混配技術(shù),、分離技術(shù),、純化技術(shù)以及與生產(chǎn)過(guò)程相配套的分析檢驗(yàn)技術(shù)、環(huán)境處理與監(jiān)測(cè)技術(shù)等。同時(shí),，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的使用場(chǎng)景要求微電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)有較強(qiáng)的配套能力,，以及時(shí)研發(fā)和改進(jìn)產(chǎn)品工藝來(lái)滿足客戶的個(gè)性化需求。光刻膠的生產(chǎn)工藝主要過(guò)程是將感光材料,、樹(shù)脂,、溶劑等主要原料在恒溫恒濕 1000 級(jí)的黃光區(qū)潔凈房進(jìn)行混合，在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下充分?jǐn)嚢?，使其充分混合形成均相液體,，經(jīng)過(guò)多次過(guò)濾，并通過(guò)中間過(guò)程控制和檢驗(yàn),，使其達(dá)到工藝技術(shù)和質(zhì)量要求,，然后做產(chǎn)品檢驗(yàn)，...

日韓材料摩擦：半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化是必然趨勢(shì),；2019年7月份,，在日韓貿(mào)易爭(zhēng)端的背景下，日本宣布對(duì)韓國(guó)實(shí)施三種半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)材料實(shí)施禁運(yùn),，包含刻蝕氣體,，光刻膠和氟聚酰亞胺。韓國(guó)是全球存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地,，顯示屏生產(chǎn)基地,，也是全球晶圓代工基地，三星,，海力士,，東部高科等一大批晶圓代工廠和顯示屏廠都需要日本的半導(dǎo)體材料。這三種材料直接掐斷了韓國(guó)存儲(chǔ)器和顯示屏的經(jīng)濟(jì)支柱,。目前中國(guó)大陸對(duì)于電子材料,，特別是光刻膠方面對(duì)國(guó)外依賴較高。所以在半導(dǎo)體材料方面的國(guó)產(chǎn)代替是必然趨勢(shì),。聚合度越小,，發(fā)生微相分離的尺寸越小，對(duì)應(yīng)的光刻圖形越小,。浦東g線光刻膠樹(shù)脂根據(jù)2019年數(shù)據(jù),，全球半導(dǎo)體光刻膠**大廠商占據(jù)全球光刻膠市場(chǎng)87%份額...

隨著IC集成度的提高，世界集成電路的制程工藝水平按已由微米級(jí),、亞微米級(jí),、深亞微米級(jí)進(jìn)入到納米級(jí)階段。集成電路線寬不斷縮小的趨勢(shì),，對(duì)包括光刻在內(nèi)的半導(dǎo)體制程工藝提出了新的挑戰(zhàn)。在半導(dǎo)體制程的光刻工藝中，集成電路線寬的特征尺寸可以由如右所示的瑞利公式確定：CD=k1*λ/NA,。CD (Critical Dimension)表示集成電路制程中的特征尺寸,；k1是瑞利常數(shù)，是光刻系統(tǒng)中工藝和材料的一個(gè)相關(guān)系數(shù),；λ是曝光波長(zhǎng),，而NA(Numerical Aperture)則是指光刻機(jī)的孔徑數(shù)值。因此,，光刻機(jī)需要通過(guò)降低瑞利常數(shù)和曝光波長(zhǎng),，增大孔徑尺寸來(lái)制造具有更小特征尺寸的集成電路。其中降低曝光波長(zhǎng)與光刻...

在半導(dǎo)體集成電路光刻技術(shù)開(kāi)始使用深紫外（DUV）光源以后,，化學(xué)放大（CAR）技術(shù)逐漸成為行業(yè)應(yīng)用的主流,。在化學(xué)放大光刻膠技術(shù)中，樹(shù)脂是具有化學(xué)基團(tuán)保護(hù)因而難以溶解的聚乙烯,?；瘜W(xué)放大光刻膠使用光致酸劑（PAG）作為光引發(fā)劑。當(dāng)光刻膠曝光后,，曝光區(qū)域的光致酸劑（PAG）將會(huì)產(chǎn)生一種酸,。這種酸在后熱烘培工序期間作為催化劑，將會(huì)移除樹(shù)脂的保護(hù)基團(tuán)從而使得樹(shù)脂變得易于溶解,?；瘜W(xué)放大光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍，對(duì)深紫外光源具有良好的光學(xué)敏感性,，同時(shí)具有高對(duì)比度,，對(duì)高分辨率等優(yōu)點(diǎn)。按照曝光波長(zhǎng)分類(lèi),；光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）,、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EU...

在CAR技術(shù)體系中,，光刻膠中的光引發(fā)劑經(jīng)過(guò)曝光后并不直接改變光刻膠在顯影液中的溶解度,，而是產(chǎn)生酸。在后續(xù)的熱烘培流程的高溫環(huán)境下,，曝光產(chǎn)生的酸作為催化劑改變光刻膠在顯影液中的溶解度,。因此CAR技術(shù)體系下的光引發(fā)劑又叫做光致酸劑。由于CAR光刻膠的光致酸劑產(chǎn)生的酸本身并不會(huì)在曝光過(guò)程中消耗而是作為催化劑而存在,，因此少量的酸就可以持續(xù)地起到有效作用,。CAR光刻膠的光敏感性很強(qiáng)，所需要從深紫外輻射中吸收的能量很少,，因此加強(qiáng)了光刻的效率,。CAR光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍左右,。產(chǎn)品純度、金屬離子雜質(zhì)控制等也是光刻膠生產(chǎn)工藝中需面臨的技術(shù)難關(guān),，光刻膠純度不足會(huì)導(dǎo)致芯片良率下降,。江浙滬g線光刻膠樹(shù)...

光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè),。從事微電子化學(xué)品業(yè)務(wù)需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù),，如混配技術(shù)、分離技術(shù),、純化技術(shù)以及與生產(chǎn)過(guò)程相配套的分析檢驗(yàn)技術(shù),、環(huán)境處理與監(jiān)測(cè)技術(shù)等。同時(shí),，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的使用場(chǎng)景要求微電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)有較強(qiáng)的配套能力,，以及時(shí)研發(fā)和改進(jìn)產(chǎn)品工藝來(lái)滿足客戶的個(gè)性化需求。光刻膠的生產(chǎn)工藝主要過(guò)程是將感光材料,、樹(shù)脂,、溶劑等主要原料在恒溫恒濕 1000 級(jí)的黃光區(qū)潔凈房進(jìn)行混合，在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下充分?jǐn)嚢?，使其充分混合形成均相液體,，經(jīng)過(guò)多次過(guò)濾，并通過(guò)中間過(guò)程控制和檢驗(yàn),，使其達(dá)到工藝技術(shù)和質(zhì)量要求,，然后做產(chǎn)品檢驗(yàn)，...

半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)中除了美國(guó)杜邦,，其余四家均為日本企業(yè),。其中JSR、TOK的產(chǎn)品可以覆蓋所有半導(dǎo)體光刻膠品種,，尤其在EUV市場(chǎng)高度壟斷,。近年來(lái)，隨著光刻膠的需求攀升,，疊加日本減產(chǎn),，光刻膠出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面，部分中小晶圓廠甚至出現(xiàn)了“斷供”現(xiàn)象,。目前大陸企業(yè)在g/i線光刻膠已形成一定規(guī)模的銷(xiāo)售,，光刻膠方面，彤程新材的KrF光刻膠產(chǎn)品已批量供應(yīng)國(guó)內(nèi)主要12英寸,、8英寸晶圓廠,，晶瑞電材KrF光刻膠加緊建設(shè)中，另有多家企業(yè)ArF光刻膠研發(fā)順利進(jìn)行,，其中南大光電ArF產(chǎn)品已通過(guò)下游客戶驗(yàn)證,，有望在未來(lái)形成銷(xiāo)售,。光刻膠保質(zhì)期通常在6個(gè)月以內(nèi)，無(wú)法囤貨,，一旦斷供可能會(huì)引起停產(chǎn)的嚴(yán)重局面,，由此國(guó)產(chǎn)化重要性更加凸...

EUV(極紫外光)光刻技術(shù)是20年來(lái)光刻領(lǐng)域的進(jìn)展。由于目前可供利用的光學(xué)材料無(wú)法很好支持波長(zhǎng)13nm以下的輻射的反射和透射,，因此 EUV 光刻技術(shù)使用波長(zhǎng)為13.5nm的紫外光作為光刻光源。EUV（極紫外光）光刻技術(shù)將半導(dǎo)體制程技術(shù)在10nm以下的區(qū)域繼續(xù)推進(jìn),。在 EUV 光刻工藝的 13.5nm 波長(zhǎng)尺度上,，量子的不確定性效應(yīng)開(kāi)始顯現(xiàn)，為相應(yīng)光源,，光罩和光刻膠的設(shè)計(jì)和使用帶來(lái)了前所未有的挑戰(zhàn),。目前 EUV 光刻機(jī)只有荷蘭 ASML 有能力制造，許多相應(yīng)的技術(shù)細(xì)節(jié)尚不為外界所知,。在即將到來(lái)的 EUV 光刻時(shí)代,，業(yè)界預(yù)期已經(jīng)流行長(zhǎng)達(dá) 20 年之久的 KrF、ArF 光刻膠技術(shù)或?qū)⒂瓉?lái)技術(shù)變革,。...

光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑,，是指通過(guò)紫外光、電子束,、離子束,、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料,。由感光樹(shù)脂,、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在光刻工藝過(guò)程中,，用作抗腐蝕涂層材料,。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí)，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠,，可在表面上得到所需的圖像,。光刻膠按其形成的圖像分類(lèi)有正性、負(fù)性兩大類(lèi),。在光刻膠工藝過(guò)程中,，涂層曝光、顯影后,，曝光部分被溶解,，未曝光部分留下來(lái)，該涂層材料為正性光刻膠,。如果曝光部分被保留下來(lái),，而未曝光被溶解,，該涂層材料為負(fù)性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同,，又分為紫外光刻膠（包括紫外正,、負(fù)性光刻膠）、深紫外光...

雖然在2007年之后,，一些波長(zhǎng)更短的準(zhǔn)分子光刻光源技術(shù)陸續(xù)出現(xiàn),，但是這些波段的輻射都很容易被光刻鏡頭等光學(xué)材料吸收，使這些材料受熱產(chǎn)生膨脹而無(wú)法正常工作,。少數(shù)可以和這些波段的輻射正常工作的光學(xué)材料,，比如氟化鈣（螢石）等，成本長(zhǎng)期居高不下,。再加上浸沒(méi)光刻和多重曝光等新技術(shù)的出現(xiàn),，193nm波長(zhǎng)ArF光刻系統(tǒng)突破了此前 65nm 分辨率的瓶頸，所以在45nm 到10nm之間的半導(dǎo)體制程工藝中,，ArF光刻技術(shù)仍然得到了很大的應(yīng)用,。在與浸沒(méi)光刻相對(duì)的干法光刻中，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣,。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),。在浸沒(méi)光刻中，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體,。這些液體可以是純水...

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘,，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長(zhǎng)年被日本和美國(guó)專(zhuān)業(yè)公司壟斷,。目前大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場(chǎng) 87%的份額,，行業(yè)集中度高。其中,，日本 JSR,、東京應(yīng)化、日本信越與富士電子材料市占率加和達(dá)到72%,。并且高分辨率的 KrF 和 ArF 半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)亦基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷,，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國(guó)公司，如杜邦,、JSR 株式會(huì)社,、信越化學(xué)、東京應(yīng)化工業(yè),、Fujifilm,，以及韓國(guó)東進(jìn)等企業(yè)。整個(gè)光刻膠市場(chǎng)格局來(lái)看,，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地,。從化學(xué)組成來(lái)看,，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過(guò)渡金屬有機(jī)化合物。普陀光分解型光刻膠其他助劑光刻膠...

質(zhì)量控制技術(shù)：由于用戶對(duì)光刻膠的穩(wěn)定性,、一致性要求高,，包括不同批次間的一致性，通常希望對(duì)感光靈敏度,、膜厚的一致性保持在較高水平,，因此，光刻膠生產(chǎn)商不僅要配備齊全的測(cè)試儀器,，還需要建立一套嚴(yán)格的QA體系以保證產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定,。原材料技術(shù)：光刻膠是一種經(jīng)過(guò)嚴(yán)格設(shè)計(jì)的復(fù)雜、精密的配方產(chǎn)品,，由成膜劑、光敏劑,、溶劑和添加劑等不同性質(zhì)的原料,，通過(guò)不同的排列組合，經(jīng)過(guò)復(fù)雜,、精密的加工工藝而制成,。因此，光刻膠原材料的品質(zhì)對(duì)光刻膠的質(zhì)量起著關(guān)鍵作用,。對(duì)于半導(dǎo)體化學(xué)化學(xué)試劑的純度,，際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織（SEMI）制定了國(guó)際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)。碳酸甲酯型光刻膠：這種類(lèi)型的光刻膠在制造高分辨率電路元件方面非常有用,。上海g線光刻...

EUV(極紫外光)光刻技術(shù)是20年來(lái)光刻領(lǐng)域的進(jìn)展,。由于目前可供利用的光學(xué)材料無(wú)法很好支持波長(zhǎng)13nm以下的輻射的反射和透射，因此 EUV 光刻技術(shù)使用波長(zhǎng)為13.5nm的紫外光作為光刻光源,。EUV（極紫外光）光刻技術(shù)將半導(dǎo)體制程技術(shù)在10nm以下的區(qū)域繼續(xù)推進(jìn),。在 EUV 光刻工藝的 13.5nm 波長(zhǎng)尺度上，量子的不確定性效應(yīng)開(kāi)始顯現(xiàn),，為相應(yīng)光源,，光罩和光刻膠的設(shè)計(jì)和使用帶來(lái)了前所未有的挑戰(zhàn)。目前 EUV 光刻機(jī)只有荷蘭 ASML 有能力制造,，許多相應(yīng)的技術(shù)細(xì)節(jié)尚不為外界所知,。在即將到來(lái)的 EUV 光刻時(shí)代，業(yè)界預(yù)期已經(jīng)流行長(zhǎng)達(dá) 20 年之久的 KrF,、ArF 光刻膠技術(shù)或?qū)⒂瓉?lái)技術(shù)變革,。...

按顯示效果分類(lèi)；光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠,。負(fù)性光刻膠顯影時(shí)形成的圖形與光罩（掩膜版）相反,；正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同,。兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致，區(qū)別在于主要原材料不同,。 按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類(lèi),；光刻膠可以分為光聚合型，光分解型,，光交聯(lián)型和化學(xué)放大型,。光聚合型光刻膠采用烯類(lèi)單體，在光作用下生成自由基,，進(jìn)一步引發(fā)單體聚合,，生成聚合物；光分解型光刻膠,，采用含有重氮醌類(lèi)化合物(DQN)材料作為感光劑,，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng)，可以制成正性光刻膠,；光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,，在光的作用下，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),，而起到抗蝕作用,，可以制成負(fù)性光刻膠。 我國(guó)光...

分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的單分散小分子有機(jī)化合物,，其結(jié)構(gòu)為非共面和不規(guī)則,，能夠避免結(jié)晶，與產(chǎn)酸劑具有優(yōu)良的相容性,。以分子玻璃為成膜樹(shù)脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形,。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機(jī)配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu)，有機(jī)配體中包含光敏基團(tuán),，借助光敏基團(tuán)的感光性及其引發(fā)的后續(xù)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)光刻膠所需的性能,。從化學(xué)組成來(lái)看，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過(guò)渡金屬有機(jī)化合物,。光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能,、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。上海光聚合型光刻膠單體1）增感劑（光引發(fā)劑）：是光刻膠的關(guān)鍵成分,，對(duì)光刻膠的感光度,、分辨率起著決定性作用...

環(huán)化橡膠型光刻膠：屬于聚烴類(lèi)——雙疊氮系光刻膠。這種膠是將天然橡膠溶解后,，用環(huán)化劑環(huán)化制備而成的,。一般來(lái)說(shuō)，橡膠具有較好的耐腐蝕性，但是它的感光活性很差,。橡膠的分子量在數(shù)十萬(wàn)以上,，因此溶解性甚低，無(wú)論在光刻膠的配制還是顯影過(guò)程中都有很大困難,。因此無(wú)法直接采用橡膠為原料配制光刻膠,。這一類(lèi)光刻膠的重要組成部分為交聯(lián)劑，又稱架橋劑,，可以起到光化學(xué)固化作用,，依賴于帶有雙感光性官能團(tuán)的交聯(lián)劑參加反應(yīng)，交聯(lián)劑曝光后產(chǎn)生雙自由基,，它和聚烴類(lèi)樹(shù)脂相作用,，在聚合物分子鏈之間形成橋鍵，變?yōu)槿S結(jié)構(gòu)的不溶性物質(zhì),。光刻膠行業(yè)日系企業(yè)實(shí)力雄厚,，國(guó)內(nèi)廠商有望復(fù)刻成功經(jīng)驗(yàn)。昆山光刻膠單體 按顯示效果分類(lèi),；光刻膠可分為正性...

g-line與i-line光刻膠均使用線性酚醛成分作為樹(shù)脂主體,，重氮萘醌成分（DQN 體系）作為感光劑。未經(jīng)曝光的DQN成分作為抑制劑,，可以十倍或者更大的倍數(shù)降低光刻膠在顯影液中的溶解速度。曝光后,，重氮萘醌(DQN)基團(tuán)轉(zhuǎn)變?yōu)橄┩?，與水接觸時(shí)，進(jìn)一步轉(zhuǎn)變?yōu)檐崃u酸,，從而得以在曝光區(qū)被稀堿水顯影時(shí)除去,。由此，曝光過(guò)的光刻膠會(huì)溶解于顯影液而被去除,，而未曝光的光刻膠部分則得以保留,。雖然g-line光刻膠和i-line 光刻膠使用的成分類(lèi)似，但是其樹(shù)脂和感光劑在微觀結(jié)構(gòu)上均有變化,，因而具有不同的分辨率,。G-line光刻膠適用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成電路制作，而i-line光刻膠使用于0....

中美貿(mào)易摩擦：光刻膠國(guó)產(chǎn)代替是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要,；自從中美貿(mào)易摩擦依賴,，中國(guó)大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè)。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”,，是國(guó)產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié)，也是必將國(guó)產(chǎn)化的產(chǎn)品。光刻是半導(dǎo)制程的重要工藝,，對(duì)制造出更先進(jìn),，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配?，F(xiàn)在,，一塊半導(dǎo)體芯片在制造過(guò)程中一般需要進(jìn)行10-50道光刻過(guò)程。其中不同的光刻過(guò)程對(duì)于光刻膠也有不一樣的具體需求,。光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會(huì)對(duì)芯片成品率造成重大影響,。光刻膠行業(yè)長(zhǎng)年被日本和美國(guó)專(zhuān)業(yè)公司壟斷。江蘇干膜光刻膠顯影在雙重曝光工藝中,，若光刻膠可以接受多...

光刻工藝歷經(jīng)硅片表面脫水烘烤,、旋轉(zhuǎn)涂膠、軟烘,、曝光,、曝光后烘烤、顯影,、堅(jiān)膜烘烤,、顯影檢查等工序。在光刻過(guò)程中,，光刻膠被均勻涂布在襯底上,，經(jīng)過(guò)曝光、顯影與刻蝕等工藝,，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,，形成與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形。光刻工藝約占整個(gè)芯片制造成本的35%,，耗時(shí)占整個(gè)芯片工藝的40-50%,，是半導(dǎo)體制造中重要的工藝。隨著半導(dǎo)體制程不斷縮小,，光刻工藝對(duì)光刻膠要求逐步提高,，需求量也隨之增加。從全球市場(chǎng)來(lái)看,，專(zhuān)注電子材料市場(chǎng)研究的TECHCET預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,，2021年全球半導(dǎo)體制造光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng)11%，達(dá)到19億美元,。光刻膠又稱光致抗蝕劑,，是一種對(duì)光敏感的混合液體。上海干膜光刻膠集成...

日韓材料摩擦：半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化是必然趨勢(shì),；2019年7月份,，在日韓貿(mào)易爭(zhēng)端的背景下,，日本宣布對(duì)韓國(guó)實(shí)施三種半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)材料實(shí)施禁運(yùn)，包含刻蝕氣體,，光刻膠和氟聚酰亞胺,。韓國(guó)是全球存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地，顯示屏生產(chǎn)基地,，也是全球晶圓代工基地,，三星，海力士,，東部高科等一大批晶圓代工廠和顯示屏廠都需要日本的半導(dǎo)體材料,。這三種材料直接掐斷了韓國(guó)存儲(chǔ)器和顯示屏的經(jīng)濟(jì)支柱。目前中國(guó)大陸對(duì)于電子材料,，特別是光刻膠方面對(duì)國(guó)外依賴較高,。所以在半導(dǎo)體材料方面的國(guó)產(chǎn)代替是必然趨勢(shì)。目前,，我國(guó)光刻膠自給率較低,，生產(chǎn)也主要集中在中低端產(chǎn)品，國(guó)產(chǎn)替代的空間廣闊,。華東PCB光刻膠光致抗蝕劑目前中國(guó)光刻膠國(guó)產(chǎn)化水平嚴(yán)重不足,，重點(diǎn)技術(shù)差距...

光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過(guò)紫外光,、電子束,、離子束、X射線等的照射或輻射,，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料,。由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體,。在光刻工藝過(guò)程中，用作抗腐蝕涂層材料,。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí),，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像,。光刻膠按其形成的圖像分類(lèi)有正性,、負(fù)性兩大類(lèi)。在光刻膠工藝過(guò)程中,，涂層曝光,、顯影后，曝光部分被溶解,，未曝光部分留下來(lái),，該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來(lái)，而未曝光被溶解,，該涂層材料為負(fù)性光刻膠,。按曝光光源和輻射源的不同，又分為紫外光刻膠（包括紫外正,、負(fù)性光刻膠）,、深紫外光...

靈敏度即光刻膠上產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長(zhǎng)光的較小能量值（或較小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2,。光刻膠的敏感性對(duì)于波長(zhǎng)更短的深紫外光（DUV）,、極深紫外光（EUV）等尤為重要 。負(fù)膠通常需5~15 s時(shí)間曝光,，正膠較慢,，其曝光時(shí)間為負(fù)膠的3~4倍 。靈敏度反映了光刻膠材料對(duì)某種波長(zhǎng)的光的反應(yīng)程度,。不同的光刻膠對(duì)于不同的波長(zhǎng)的光是有選擇性的,。比如248 nm波長(zhǎng)光刻膠的成膜樹(shù)脂中存在苯環(huán)結(jié)構(gòu)，對(duì)193 nm波長(zhǎng)的光具有很強(qiáng)的吸收作用,，即對(duì)193 nm波長(zhǎng)的光是不透明的,，因此193 nm光刻膠必須改變樹(shù)脂主體。同時(shí),，高的產(chǎn)出要求短的曝光時(shí)間,，對(duì)光刻膠的靈敏度要求也越來(lái)越高。通...

抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過(guò)程中的抵抗力,。在圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到晶片的過(guò)程中,，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性 。在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面,。耐熱穩(wěn)定性,、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力 。在濕法刻蝕中,，印有電路圖形的光刻膠需要連同硅片一同置入化學(xué)刻蝕液中,，進(jìn)行很多次的濕法腐蝕。只有光刻膠具有很強(qiáng)的抗蝕性,，才能保證刻蝕液按照所希望的選擇比刻蝕出曝光所得圖形,，更好體現(xiàn)器件性能。在干法刻蝕中,，例如集成電路工藝中在進(jìn)行阱區(qū)和源漏區(qū)離子注入時(shí),，需要有較好的保護(hù)電路圖形的能力，否則光刻膠會(huì)因?yàn)樵谧⑷氕h(huán)境中揮發(fā)而影響到注入腔的真空度,。此時(shí)注入的離子將不會(huì)起到其在電路制造工藝中...

光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈中游：為光刻膠制造環(huán)節(jié),，當(dāng)前全球光刻膠生產(chǎn)制造商主要被日本JSR,、信越化學(xué)、住友化學(xué),、東京應(yīng)化,、美國(guó)陶氏化學(xué)等制造商所壟斷，中國(guó)本土企業(yè)在光刻膠市場(chǎng)的份額較低,，與國(guó)外光刻膠制造商相比仍存明顯差距,。 光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈下游：主要涉及半導(dǎo)體、平板顯示器,、PCB等領(lǐng)域,。伴隨消費(fèi)升級(jí)、應(yīng)用終端產(chǎn)品更新迭代速度加快,，下游應(yīng)用領(lǐng)域企業(yè)對(duì)半導(dǎo)體,、平板顯示和PCB制造提出愈加精細(xì)化的要求，將帶動(dòng)光刻膠行業(yè)持續(xù)發(fā)展,。 國(guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)增速遠(yuǎn)高于全球,，國(guó)內(nèi)企業(yè)投入加大，未來(lái)有望實(shí)現(xiàn)技術(shù)趕超,。昆山顯示面板光刻膠溶劑質(zhì)量控制技術(shù)：由于用戶對(duì)光刻膠的穩(wěn)定性,、一致性要求高，包括不同批次間的一致性,，通常希...